脉冲激光沉积（PLD）半导体材料结构特性的研究
| 中文摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·GaN 材料的应用及研究进展 | 第11-15页 |
| ·GaN 材料的应用 | 第11-12页 |
| ·GaN 薄膜的研究进展 | 第12-15页 |
| ·ZnO 材料的应用及研究进展 | 第15-18页 |
| ·ZnO 材料的应用 | 第15-16页 |
| ·ZnO 薄膜的研究进展 | 第16-18页 |
| ·本论文的主要创新点和内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 PLD 技术 | 第19-27页 |
| ·PLD 的原理 | 第19-21页 |
| ·PLD 的特点 | 第21-22页 |
| ·影响PLD 沉积的因素 | 第22-27页 |
| ·激光能量密度 | 第22-23页 |
| ·衬底温度 | 第23页 |
| ·气压 | 第23-24页 |
| ·靶与衬底之间的距离 | 第24-27页 |
| 第三章 薄膜制备过程及主要测试手段 | 第27-33页 |
| ·薄膜制备过程及实验测试设备 | 第27-29页 |
| ·激光溅射沉积过程 | 第27-28页 |
| ·高温退火过程 | 第28-29页 |
| ·测试方法介绍 | 第29-33页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第29页 |
| ·结构和成份测试分析 | 第29-30页 |
| ·表面形貌的观测 | 第30-31页 |
| ·光学及电学性质的测量 | 第31-33页 |
| 第四章 GAN 薄膜的制备及结构和性质研究 | 第33-49页 |
| ·GaN 薄膜的物理性质 | 第33-34页 |
| ·实验结果分析 | 第34-49页 |
| ·退火温度对在Si 衬底上沉积GaN 薄膜的影响 | 第35-41页 |
| ·氮气压强对在蓝宝石衬底上沉积GaN 薄膜的影响 | 第41-49页 |
| 第五章 ZNO 薄膜的制备及结构和性质研究 | 第49-63页 |
| ·Z nO 薄膜的物理性质 | 第49-51页 |
| ·实验结果分析 | 第51-63页 |
| ·温度对ZnO 薄膜的影响 | 第51-57页 |
| ·聚焦透镜位置对ZnO 薄膜的影响 | 第57-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| ·本论文的主要研究结果 | 第63页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第70-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
