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半导体性质
纳米金属-氧化物-半导体结构中基于肖特基势垒调控的光电效应研究
多物理场中锗在吸收边附近的介电函数模型与测量
掺杂ZnO电子结构与光学性质的第一性原理研究
Sn掺杂GaN纳米线的制备及第一性原理研究
Zn基稀磁半导体磁性及输运性质的研究
应力对GeP3电子结构及输运性质的调控
有机分子晶体中色散声子对极化子动力学性质的影响
第Ⅲ,Ⅳ主族层状半导体电子及光学性质的第一性原理研究
SnO2光电半导体P型掺杂改性的第一性原理研究
新型稀磁半导体(La1-xBax)(Ag1-yMny)SO光学性质第一性原理计算及实验研究
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氮化镓基异质结漏电流研究
同位素示踪法研究氧化物半导体中点缺陷的能量学特性
新型块材稀磁半导体Li1.1Zn1-xCrxAs的制备和物性测量
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空位诱导低维半导体纳米材料的磁性研究
半导体异质结光生载流子分离增强机制及光电性能研究
宽带隙和窄带隙稀磁半导体的电性与磁性研究
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掺杂多量子阱的光学性质研究
几种Dirac费米子材料的电子结构和量子输运特性--基于格点化模型的理论研究
过渡金属氧族化合物半导体的光电特性研究
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