| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 第一部分 Ga原子在GaAs表面的迁移 | 第8-60页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·GaAs材料发展现状 | 第8-9页 |
| ·GaAs材料的表面 | 第9-11页 |
| ·半导体表面再构的规则 | 第11-12页 |
| ·GaAs(001)As-rich(2×4)表面再构 | 第12-13页 |
| ·本论文研究内容 | 第13-16页 |
| 第二章 研究方法 | 第16-41页 |
| ·经验势 | 第16-19页 |
| ·经验势简介 | 第16页 |
| ·经验势模型 | 第16-19页 |
| ·分子动力学方法 | 第19-27页 |
| ·分子动力学简介 | 第19-21页 |
| ·分子动力学模拟的基本步骤 | 第21-23页 |
| ·平衡态分子动力学模拟 | 第23-27页 |
| ·密度泛函理论 | 第27-41页 |
| ·绝热近似和Hartree-Fock近似 | 第27-30页 |
| ·密度泛函理论的基础 | 第30-33页 |
| ·Kohn-Sham方程:有效单电子近似 | 第33-34页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第34-36页 |
| ·本文采用的计算软件包 | 第36-41页 |
| 第三章 Ga原子,As原子在GaAs(001)β2(2×4)As-rich表面的迁移行为的研究 | 第41-59页 |
| ·研究现状 | 第41-42页 |
| ·对经验势的测试 | 第42-44页 |
| ·Ga原子,As原子在GaAs表面的迁移 | 第44-54页 |
| ·Ga原子在有限温度下在GaAs表面的迁移行为 | 第54-59页 |
| 总结 | 第59-60页 |
| 第二部分 关于纳米温度计的研究 | 第60-77页 |
| 第一章 绪论 | 第60-63页 |
| 第二章 研究方法 | 第63-71页 |
| ·bond-order势 | 第63-65页 |
| ·Lenard-Jones势 | 第65-71页 |
| ·Lenard-Jones势模型 | 第65-67页 |
| ·参数的拟合 | 第67-71页 |
| 第三章 关于Ga纳米线在碳纳米管中的膨胀系数的研究 | 第71-76页 |
| 总结 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
