| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·稀磁半导体 | 第9-12页 |
| ·稀磁半导体的概念和性质 | 第9页 |
| ·稀磁半导体的发展史和研究进展 | 第9-11页 |
| ·稀磁半导体铁磁性的来源 | 第11页 |
| ·稀磁半导体的应用及前景 | 第11页 |
| ·MOCVD低温生长技术和本实验室的ECR-PEMOCVD技术 | 第11-12页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第12-17页 |
| ·物理性质 | 第12-15页 |
| ·化学性质 | 第15页 |
| ·电学特性 | 第15-16页 |
| ·光学特性 | 第16-17页 |
| 2 薄膜生长理论和分析方法 | 第17-28页 |
| ·薄膜的成核原理 | 第17-20页 |
| ·外延单晶薄膜生长类型 | 第20-21页 |
| ·岛状生长模式 | 第20页 |
| ·层状生长模式 | 第20-21页 |
| ·混合生长模式 | 第21页 |
| ·薄膜的分析技术 | 第21-27页 |
| ·X射线衍射 | 第21-22页 |
| ·反射高能电子衍射 | 第22-24页 |
| ·超导量子干涉仪 | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第25-27页 |
| ·电子探针 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 3.实验设备和原理 | 第28-34页 |
| ·ECR等离子体的产生原理和特点 | 第28-29页 |
| ·腔耦合—磁多极ECR源的结构和特点 | 第29页 |
| ·配备RHEED的PEMOCVD(ESPD-U)的系统 | 第29-32页 |
| ·本实验室的RHEED装置 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 4 稀磁半导体GaMnN薄膜的ECR-PEMOCVD制备和表征 | 第34-49页 |
| ·ECR-PEMOCVD制备薄膜的优点 | 第34-35页 |
| ·与MBE和MOCVD方法的比较 | 第34-35页 |
| ·本实验室ECR-PEMOCVD设备的特点 | 第35页 |
| ·GaMnN薄膜的ECR-PEMOCVD的制备 | 第35-41页 |
| ·衬底、氮源、镓源和锰源的选择 | 第35-37页 |
| ·清洗实验 | 第37-39页 |
| ·氮化实验 | 第39-40页 |
| ·制备过程 | 第40-41页 |
| ·生长温度、二茂锰流量和N_2流量对薄膜中Mn含量的影响 | 第41-42页 |
| ·GaMnN薄膜的表面形貌和结构特性 | 第42-45页 |
| ·表面形貌分析 | 第42页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED)分析 | 第42-43页 |
| ·X射线衍射分析 | 第43-45页 |
| ·GaMnN薄膜的磁性表征 | 第45-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
