| 摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| 第一节 GaN材料和AlGaN/GaN器件的优势 | 第8-12页 |
| 第二节 AlGaN/GaN HEMT的研究及应用现状 | 第12-15页 |
| ·研究现状 | 第12-13页 |
| ·应用现状 | 第13-15页 |
| 第三节 目前AlGaN/GaN HEMT微波功率器件的研究热点和难点 | 第15-17页 |
| 第四节 本论文的工作 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件 | 第20-26页 |
| 第一节 AlGaN/GaN HEMT器件原理 | 第20-22页 |
| 第二节 AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌现象 | 第22-25页 |
| ·电流崩塌现象 | 第22-23页 |
| ·电流崩塌现象的两种模型 | 第23-24页 |
| ·抑制电流崩塌的措施 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-26页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT模型提取 | 第26-52页 |
| 第一节 概述 | 第26-27页 |
| 第二节 小信号等效电路模型的抽取 | 第27-42页 |
| ·概述 | 第27-31页 |
| ·在片测试和校准 | 第31-32页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路模型的提取 | 第32-42页 |
| ·小结 | 第42页 |
| 第三节 器件的大信号特性描述 | 第42-48页 |
| ·Crispps方法 | 第45-47页 |
| ·load-pull方法 | 第47-48页 |
| 附录 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT微波功率管的内匹配设计 | 第52-64页 |
| 第一节 工作类型的选择 | 第52-55页 |
| 第二节 匹配网络的设计和放大器的稳定性 | 第55-60页 |
| ·匹配网络的设计 | 第55-59页 |
| ·放大器的稳定性 | 第59-60页 |
| 第三节 偏置电路的设计 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT微波功率管的测试结果和分析 | 第64-79页 |
| 第一节 AlGaN/GaN HEMT微波功率管的测试 | 第64-67页 |
| 第二节 结果分析 | 第67-69页 |
| 第三节 器件温度分布分析 | 第69-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第六章 总结 | 第79-81页 |
| 第一节 小结 | 第79页 |
| 第二节 未来的工作 | 第79-81页 |
| 作者在读期间科研成果简介 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
