| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-23页 |
| 第二章 半导体光谱研究相关的基本理论 | 第23-48页 |
| ·半导体光学常数及Kramers-Kronig 关系 | 第24-28页 |
| ·半导体基本光学常数 | 第24-26页 |
| ·Kramers-Kronig（K-K）色散关系 | 第26-28页 |
| ·半导体薄膜的反射和透射模型 | 第28-33页 |
| ·晶格动力学及声子色散曲线 | 第33-38页 |
| ·半导体电子能带及电子跃迁的相关理论 | 第38-47页 |
| ·半导体能带理论 | 第38-39页 |
| ·半导体中的电子跃迁 | 第39-45页 |
| ·半导体中的电子-声子相互作用 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第三章 半导体材料的制备、表征及光谱实验 | 第48-63页 |
| ·半导体材料的制备方法概述 | 第48-51页 |
| ·实验半导体薄膜的制备过程及表征 | 第51-55页 |
| ·半导体光谱实验仪器介绍 | 第55-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第四章 半导体材料晶格振动的光谱研究 | 第63-100页 |
| ·极性半导体光学声子晶格振动的远红外反射谱研究 | 第63-73页 |
| ·远红外晶格振动介电常数模型 | 第63-67页 |
| ·Pb_(1-x)Sr_xSe 薄膜远红外反射晶格振动分析 | 第67-70页 |
| ·Mg_xZn_(1-x)O 薄膜远红外反射晶格振动分析 | 第70-73页 |
| ·半导体晶格振动的拉曼光谱研究 | 第73-89页 |
| ·拉曼散射的基本理论 | 第74-76页 |
| ·拉曼散射的选择定则及配置 | 第76-77页 |
| ·Pb_(1-x)Sr_xSe 三元化合物的拉曼散射研究 | 第77-83页 |
| ·InN 变温拉曼光谱特性研究 | 第83-89页 |
| ·三元混合晶体声子模行为的研究 | 第89-98页 |
| ·修正的随机元素同向位移模型 | 第90-94页 |
| ·Pb_(1-x)Sr_xSe 三元化合物声子模行为的研究 | 第94-95页 |
| ·Mg_xZn_(1-x)O 三元化合物声子模行为的研究 | 第95-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第五章 半导体材料带隙及以上临界点跃迁过程的光谱研究 | 第100-119页 |
| ·带隙及带隙以上临界点跃迁的介电函数模型 | 第100-103页 |
| ·三元Mg_xZn_(1-x)O 透射谱及带隙的研究 | 第103-106页 |
| ·AlN 反射谱高能临界点跃迁的研究 | 第106-113页 |
| ·InN 反射谱高能临界点跃迁的研究 | 第113-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| 第六章 光谱方法在半导体薄膜材料质量研究中的应用 | 第119-135页 |
| ·三元Pb_(1-x)Sr_xSe 的无序性研究 | 第120-122页 |
| ·二元化合物InN 薄膜质量的显微拉曼分析方法 | 第122-130页 |
| ·三元化合物Mg_xZn_(1-x)O 材料组分分布均匀性的分析 | 第130-134页 |
| 参考文献 | 第134-135页 |
| 第七章 结论 | 第135-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录及奖励 | 第139-142页 |
