| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-26页 |
| ·研究背景 | 第17-21页 |
| ·我们的工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 电学实验测试系统 | 第26-37页 |
| ·电学参数——阻抗和导纳 | 第26-28页 |
| ·直流输运特性测试系统(Keithley 2400 SourceMeter) | 第28-32页 |
| ·Keithley 2400 SourceMeter 的精度范围 | 第29-30页 |
| ·Keithley 2400 SourceMeter 的测量模式 | 第30-32页 |
| ·交流输运特性测试系统(Agilent 4284A LCR Meter) | 第32-36页 |
| ·Agilent 4284A LCR Meter 的特性 | 第32-33页 |
| ·Agilent 4284A LCR Meter 的测量模式 | 第33-34页 |
| ·Agilent 4284A LCR Meter 的校正手段 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 样品的制备、表征和基本特性研究 | 第37-71页 |
| ·硅量子点异质结的制备，表征和基本特性 | 第37-61页 |
| ·硅量子点异质结的制备 | 第37-47页 |
| ·硅量子点薄膜的结构特性表征 | 第47-52页 |
| ·硅量子点p-n 异质结能带特性 | 第52-61页 |
| ·InN 薄膜的制备与基本特性 | 第61-70页 |
| ·InN 薄膜的制备 | 第61-62页 |
| ·实验样品的选择——生长条件对薄膜质量的作用 | 第62-68页 |
| ·实验样品的电学性质 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第四章 硅量子点(n)/单晶硅(p)异质结的共振隧穿特性 | 第71-97页 |
| ·硅量子点(n)/单晶硅(p)异质结二极管的低温伏安特性 | 第73-75页 |
| ·硅量子点(n)/单晶硅(p)异质结能带参数 | 第75-79页 |
| ·共振隧穿二极管的量子输运理论 | 第79-87页 |
| ·纵向有效势分布计算 | 第81-83页 |
| ·转移矩阵方法和透射系数计算 | 第83-85页 |
| ·理论隧穿电流及输运特性研究 | 第85-87页 |
| ·掺杂浓度对共振隧穿的调控 | 第87-91页 |
| ·不同外场下的共振隧穿现象 | 第91-95页 |
| ·不同电场下的共振隧穿现象(0D-0D 共振隧穿) | 第91-93页 |
| ·不同温度、磁场下的共振隧穿现象 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第五章 InN 薄膜的直流电学特性 | 第97-114页 |
| ·引言 | 第97-98页 |
| ·InN 薄膜的变温电导特性 | 第98-100页 |
| ·晶界势垒模型 | 第100-102页 |
| ·电场对势垒高度及输运特性的作用 | 第102-106页 |
| ·InN 薄膜的缺陷浓度 | 第106-110页 |
| ·本章小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 第六章 InN/GaAs 界面的负电容特性 | 第114-130页 |
| ·电容－频率实验结果 | 第114-119页 |
| ·InN 薄膜的理论电容特性 | 第119-121页 |
| ·暂态电流模型及界面电容－频率特性 | 第121-124页 |
| ·生长条件对界面的作用 | 第124-128页 |
| ·总结 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-130页 |
| 第七章 总结 | 第130-132页 |
| 附录 | 第132-134页 |
| A. 有效势自洽计算的迭代方法 | 第132-133页 |
| B. 利用电容-电压(C-V)谱测量薄膜的杂质分布的理论背景 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 完成论文目录 | 第135-137页 |
