| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT(英文摘要) | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·ZnO等Ⅱ-Ⅵ族材料的研究现状 | 第9-10页 |
| ·基于GaN的DMS材料的研究现状 | 第10-14页 |
| ·本论文研究的目的和内容 | 第14-15页 |
| ·参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 第一原理电子结构计算方法 | 第18-40页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-27页 |
| ·Born-Oppenheimer近似(绝热近似)—多体问题转化为多电子问题 | 第18-20页 |
| ·Hartree-Fock近似(单电子近似)—多电子问题转化为单电子问题 | 第20-23页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第23页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第23-24页 |
| ·交换关联能 | 第24-27页 |
| ·密度泛函的自洽求解 | 第27页 |
| ·赝势平面波方法 | 第27-32页 |
| ·计算程序简介 | 第32-37页 |
| ·态密度(DOS)和分波态密度(PDOS)的计算 | 第32-33页 |
| ·晶体结构的优化 | 第33-34页 |
| ·弹性模量的计算 | 第34-35页 |
| ·光学性能的计算 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37页 |
| ·参考文献 | 第37-40页 |
| 第三章 低压下ZnO和ZnS晶体的结构转变探讨 | 第40-64页 |
| ·引言 | 第40-42页 |
| ·能量状态方程在BCC结构的单晶锂上的应用 | 第42-45页 |
| ·应用BM-2状态方程求有限压强范围内的相变 | 第45-55页 |
| ·计算过程 | 第47-49页 |
| ·0-15 GPa压强范围内ZnO的结构转变 | 第49-52页 |
| ·利用状态方程求解低压下ZnS的结构转变 | 第52-55页 |
| ·ZnO晶体低压范围内从B4相转变为B1相的相变路径探讨 | 第55-61页 |
| ·计算过程 | 第55-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| ·参考文献 | 第62-64页 |
| 第四章 ZnO系列材料及其相关材料的光学性质的研究 | 第64-91页 |
| ·引言 | 第64-67页 |
| ·计算过程 | 第67-68页 |
| ·Zn_(4-y)X_yM(y=0或1;M=N、Sb、Cl或I)的电子结构和光学性质 | 第68-77页 |
| ·尖晶石结构的ZnAl_2O_4,MgAl_2O_4及其对应氧化物的光学性质比较 | 第77-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| ·参考文献 | 第88-91页 |
| 第五章 3d过渡金属掺杂的GaN体系的电子和磁结构的研究 | 第91-111页 |
| ·引言 | 第91-93页 |
| ·计算过程 | 第93-94页 |
| ·超元胞结构的计算 | 第93页 |
| ·磁矩的计算 | 第93-94页 |
| ·结果与讨论 | 第94-107页 |
| ·掺杂体系中过渡金属离子的电子和磁结构 | 第94-97页 |
| ·掺杂体系中过渡金属离子最近邻阴阳离子的电子和磁结构 | 第97-107页 |
| ·本章小结 | 第107页 |
| ·参考文献 | 第107-111页 |
| 第六章 总结与展望 | 第111-114页 |
| ·总结 | 第111-112页 |
| ·展望 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-116页 |
| 攻读博士学位期间发表和待发表的论文目录 | 第116-117页 |
| 个人简历 | 第117-118页 |
