ZnSe/SiO2半导体量子点玻璃的光谱特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-17页 |
| ·半导体量子点玻璃 | 第9-10页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第10-11页 |
| ·纳米材料的特殊光学性质 | 第11-13页 |
| ·量子尺寸效应 | 第11页 |
| ·介电受限效应 | 第11-12页 |
| ·表面效应 | 第12页 |
| ·非线性光学效应 | 第12-13页 |
| ·快速光学响应速度 | 第13页 |
| ·半导体量子点玻璃的应用 | 第13-14页 |
| ·高速全光逻辑器件 | 第13-14页 |
| ·量子点激光器 | 第14页 |
| ·量子点照明光源 | 第14页 |
| ·纳米材料的光谱表征方法 | 第14-15页 |
| ·本研究的意义 | 第15-17页 |
| 第二章 半导体量子点的电子结构 | 第17-29页 |
| ·激子的概念 | 第17-18页 |
| ·半导体量子点的电子结构 | 第18-27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 吸收光谱 | 第29-37页 |
| ·概述 | 第29页 |
| ·紫外—可见—近红外分光光度计 | 第29-30页 |
| ·透射光谱 | 第30页 |
| ·吸收光谱分析 | 第30-32页 |
| ·纳米晶的尺寸估计 | 第32-34页 |
| ·不同掺杂浓度对透过光谱的影响 | 第34页 |
| ·小结 | 第34-37页 |
| 第四章 稳态发射光谱 | 第37-47页 |
| ·概述 | 第37-39页 |
| ·激发谱和发射谱 | 第37页 |
| ·荧光的特点 | 第37-38页 |
| ·荧光寿命 | 第38-39页 |
| ·实验装置 | 第39-40页 |
| ·氙灯 | 第39页 |
| ·单色仪M300 | 第39-40页 |
| ·样品室 | 第40页 |
| ·微通道光电倍增管 | 第40页 |
| ·纳米晶的发光途径 | 第40-42页 |
| ·激子态发光 | 第41页 |
| ·表面态发光 | 第41-42页 |
| ·杂质能级发光 | 第42页 |
| ·稳态发射光谱 | 第42-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第五章 时间分辨荧光光谱 | 第47-61页 |
| ·概述 | 第47页 |
| ·荧光寿命 | 第47-48页 |
| ·时间分辨荧光光谱技术 | 第48-53页 |
| ·时间相关单光子计数技术(TCSPC) | 第49-51页 |
| ·荧光强度衰减曲线 | 第51-52页 |
| ·数据分析 | 第52-53页 |
| ·时间分辨荧光光谱仪 | 第53-56页 |
| ·种子光源——Tsunami | 第54页 |
| ·再生放大系统——Spitfire | 第54-55页 |
| ·光学参量放大系统——OPA-800cf | 第55-56页 |
| ·时间分辨荧光光谱 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-61页 |
| 第六章 瞬态吸收光谱 | 第61-69页 |
| ·概述 | 第61-63页 |
| ·实验装置 | 第63-64页 |
| ·步进电机 | 第64页 |
| ·PIN管 | 第64页 |
| ·数据处理 | 第64-65页 |
| ·瞬态吸收光谱 | 第65-67页 |
| ·小结 | 第67-69页 |
| 第七章 结论 | 第69-71页 |
| ·本文主要工作及结论 | 第69页 |
| ·存在问题及对今后工作的建议 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 发表文章目录 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
