| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 前言 | 第10-14页 |
| 第2章 辐照环境与辐照效应 | 第14-28页 |
| ·辐照环境 | 第14-16页 |
| ·辐照效应 | 第16-23页 |
| ·位移效应 | 第16-21页 |
| ·电离效应 | 第21-23页 |
| ·辐射损伤的影响因素 | 第23-28页 |
| 第3章 实验条件与实验方案 | 第28-50页 |
| ·实验条件 | 第28-46页 |
| ·射线与放射源 | 第28-29页 |
| ·半导体磁敏器件 | 第29-43页 |
| ·半导体晶体与能带结构 | 第43-46页 |
| ·实验方案 | 第46-50页 |
| 第4章 辐照对磁敏器件电磁参数的影响 | 第50-84页 |
| ·辐照对InSb磁敏器件的影响 | 第50-60页 |
| ·辐照对GaAs霍尔器件的影响 | 第60-68页 |
| ·辐照对Si霍尔器件的影响 | 第68-75页 |
| ·辐照对Ge霍尔器件的影响 | 第75-80页 |
| ·辐照对磁敏器件影响的比较 | 第80-84页 |
| 第5章 结论 | 第84-87页 |
| 主要符号表 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 个人简历 | 第94页 |
| 在学期间的研究成果 | 第94页 |