| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·量子点研究的发展 | 第9页 |
| ·量子点的量子效应 | 第9-11页 |
| ·量子尺寸效应 | 第10页 |
| ·表面效应 | 第10页 |
| ·量子限域效应 | 第10-11页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第11页 |
| ·半导体量子点材料 | 第11-15页 |
| ·Ⅳ族量子点材料 | 第12页 |
| ·Ⅲ－Ⅴ族量子点材料 | 第12-13页 |
| ·Ⅱ－Ⅵ族量子点材料 | 第13-15页 |
| ·量子点的应用及其前景 | 第15-17页 |
| ·量子点在生命科学中的应用 | 第15-16页 |
| ·半导体量子点的器件应用 | 第16-17页 |
| ·Ⅱ－Ⅵ族胶体半导体量子点的研究意义及本论文的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 CdSe量子点的胶体法制备 | 第19-26页 |
| ·半导体量子点的制备方法简介 | 第19页 |
| ·纳米CdSe 合成方法概述 | 第19-21页 |
| ·化学反应合成法 | 第19-20页 |
| ·非晶薄膜结晶法 | 第20页 |
| ·直流电沉积法 | 第20页 |
| ·胶体化学法 | 第20-21页 |
| ·胶体法合成CdSe 量子点的研究现状 | 第21-23页 |
| ·实验方法与过程 | 第23-26页 |
| ·反应机理 | 第23-24页 |
| ·实验仪器及装置 | 第24页 |
| ·化学反应原料 | 第24页 |
| ·实验步骤 | 第24-25页 |
| ·实验现象 | 第25-26页 |
| 第三章 实验结果与讨论 | 第26-34页 |
| ·室温荧光效应 | 第26页 |
| ·表征技术所用的主要实验仪器和平台 | 第26-28页 |
| ·TEM 透射电镜结果 | 第28-29页 |
| ·吸收光谱 | 第29-31页 |
| ·光致荧光（PL）谱 | 第31-32页 |
| ·吸收谱VS 光致发光（PL）谱 | 第32-33页 |
| ·小结 | 第33-34页 |
| 第四章 表面修饰对CdSe 量子点发光动力学过程的影响 | 第34-42页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·表面修饰实验过程 | 第34-35页 |
| ·激子动力学过程与时间分辨PL 谱 | 第35页 |
| ·所用测量仪器及其数据处理原理 | 第35-39页 |
| ·主要的实验用仪器 | 第35-36页 |
| ·样品的指数衰减模型 | 第36-37页 |
| ·卷积 | 第37-38页 |
| ·数据拟合 | 第38页 |
| ·拟合质量的评估参数 | 第38-39页 |
| ·测量结果与讨论 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-43页 |
| 发表的论文 | 第43-44页 |
| 附录 | 第44-45页 |
| 参考文献（Reference） | 第45-48页 |
| 致谢 | 第48页 |