| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-5页 |
| 1 绪论 | 第5-9页 |
| 2 磷化铟材料的生长方法及缺陷对材料的影响 | 第9-19页 |
| ·磷化铟单晶的制备技术 | 第9-11页 |
| ·半绝缘磷化铟的制备技术 | 第11-13页 |
| ·半导体材料中缺陷的研究方法 | 第13-19页 |
| ·磷化铟中主要缺陷及其对材料的影响 | 第13-15页 |
| ·半导体材料中缺陷的常用研究方法 | 第15-19页 |
| 3 磷化铟材料辐照前后的霍尔测量 | 第19-26页 |
| ·霍尔效应原理 | 第19-23页 |
| ·实验过程 | 第23页 |
| ·实验结果与分析 | 第23-25页 |
| ·结论 | 第25-26页 |
| 4 低阻磷化铟材料的深能级瞬态谱测量 | 第26-35页 |
| ·深能级瞬态谱的基本原理 | 第26-30页 |
| ·实验过程 | 第30页 |
| ·实验结果与分析 | 第30-34页 |
| ·结论 | 第34-35页 |
| 5 高阻磷化铟材料的热激电流谱测量 | 第35-41页 |
| ·热激电流谱的基本原理 | 第35-37页 |
| ·实验过程 | 第37页 |
| ·实验结果与分析 | 第37-40页 |
| ·结论 | 第40-41页 |
| 6 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 作者在读期间科研成果简介 | 第48-49页 |