| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 扫描隧道显微镜简介 | 第11-37页 |
| ·扫描隧道显微镜的发明 | 第11-12页 |
| ·扫描隧道显微镜理论 | 第12-19页 |
| (1) 一维隧穿模型 | 第13-14页 |
| (2) 基于微扰理论 | 第14-18页 |
| (3) 其他的STM成像机制 | 第18-19页 |
| ·扫描隧道显微镜仪器和工作模式 | 第19-27页 |
| ·扫描隧道显微镜应用 | 第27-33页 |
| ·本文研究内容 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 第二章 Si(111)-7×7表面单个空位缺陷的扫描隧道显微术研究 | 第37-55页 |
| ·Si(111)-7×7表面简介 | 第37-41页 |
| ·Si(111)-7×7表面单空位缺陷研究动机 | 第41-42页 |
| ·实验过程 | 第42-43页 |
| ·结果和讨论 | 第43-49页 |
| ·总结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 第三章 Si(111)-3~(1/2)×3~(1/2)-Ag表面的扫描隧道显微术研究 | 第55-83页 |
| ·研究背景 | 第55-61页 |
| (1) 表面态 | 第55-56页 |
| (2) Si(111)-3~(1/2)×3~(1/2)-Ag表面简介 | 第56-61页 |
| ·实验过程、结果和讨论 | 第61-76页 |
| (1) 完整Si(111)-3~(1/2)×3~(1/2)-Ag表面的电子态研究 | 第62-70页 |
| (2) 含空位缺陷的Si(111)-3~(1/2)×3~(1/2)-Ag表面 | 第70-76页 |
| ·总结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-83页 |
| 第四章 利用不同针尖选择性探测分子的电子态 | 第83-109页 |
| ·针尖电子结构在STM实验中所起的作用 | 第83-88页 |
| ·实验过程和实验结果 | 第88-98页 |
| (1) CoPc分子简介 | 第88-90页 |
| (2) 实验过程 | 第90页 |
| (3) CoPc分子不同覆盖度的吸附研究 | 第90-94页 |
| (4) 不同针尖得到的单个CoPc分子的实验结果 | 第94-98页 |
| ·理论计算和讨论 | 第98-102页 |
| ·总结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-109页 |
| 第五章 利用轨道的空间对称匹配调控单分子的输运性质 | 第109-127页 |
| ·前言 | 第109-114页 |
| (1) 单分子的输运性质研究 | 第109-110页 |
| (2) 负微分电阻现象 | 第110-114页 |
| ·实验过程和实验结果 | 第114-115页 |
| ·理论计算和讨论 | 第115-122页 |
| (1) 分子和针尖的电子结构 | 第115-118页 |
| (2) 隧道电流的模拟 | 第118-122页 |
| ·总结 | 第122-123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 发表和待发表论文目录 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
