| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| §1.1 半导体低维体系概述 | 第7-12页 |
| §1.2 半导体量子线的制备 | 第12-18页 |
| §1.2.1 低维半导体制备材料 | 第12页 |
| §1.2.2 半导体量子线的制备方法 | 第12-18页 |
| §1.3 半导体量子线光谱研究现状 | 第18-20页 |
| §1.3.1 半导体量子线中光跃迁过程 | 第18-19页 |
| §1.3.2 半导体量子线光谱的主要研究内容 | 第19-20页 |
| §1.3.3 影响半导体量子线光谱研究的主要因素 | 第20页 |
| §1.4 本论文研究课题的意义及研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 实验仪器和光谱研究手段 | 第23-33页 |
| §2.1 光致发光光谱 | 第23-24页 |
| §2.2 空间分辨光谱技术 | 第24页 |
| §2.3 时间分辨光谱 | 第24-26页 |
| §2.4 超短光脉冲激光 | 第26页 |
| §2.5 深低温、强磁场等极端条件的多维分辨光谱实验系统 | 第26-27页 |
| §2.6 多维分辨光谱系统主要组件 | 第27-33页 |
| §2.6.1 激光光源 | 第27-30页 |
| §2.6.2 超导磁体和样品制冷系统 | 第30页 |
| §2.6.3 显微荧光/拉曼光谱测量系统 | 第30-33页 |
| 第三章 离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质研究 | 第33-52页 |
| §3.1 引言 | 第33页 |
| §3.2 V形槽量子线样品特点 | 第33-36页 |
| §3.2.1 V形槽量子线复杂样品结构 | 第33-34页 |
| §3.2.2 V形槽量子线长后处理 | 第34-36页 |
| §3.3 V形槽GaAs/AlGaAs量子线样品制备和具体实验条件 | 第36-37页 |
| §3.4 V形槽GaAs/AlGaAs量子线样品光谱特性 | 第37-44页 |
| §3.4.1 V形槽GaAs/AlGaAs量子线样品显微光致发光谱 | 第37-39页 |
| §3.4.2 离子注入和快速退火对V形槽GaAs/AlGaAs量子线光学性质的修饰 | 第39-40页 |
| §3.4.3 V形槽GaAs/AlGaAs量子线变温光致发光谱 | 第40-42页 |
| §3.4.4 V形槽GaAs/AlGaAs量子线偏振光致发光谱 | 第42-44页 |
| §3.5 V形槽GaAs/AlGaAs量子线准一维电子输运行为 | 第44-45页 |
| §3.6 V形槽GaAs/AlGaAs量子线结构中一维激子局域化行为 | 第45-47页 |
| §3.7 V形槽GaAs/AlGaAs量子线结构中量子线与侧面量子阱间的载流子迁移行为 | 第47-48页 |
| §3.8 V形槽GaAs/AlGaAs量子线结构中电子局域态密度 | 第48-50页 |
| §3.9 结论 | 第50-52页 |
| 第四章 单个ZnO纳米结构Raman散射光谱研究 | 第52-71页 |
| §4.1 引言 | 第52-53页 |
| §4.2 极性半导体ZnO材料晶格结构 | 第53页 |
| §4.3 极性半导体ZnO体系的Raman对称性分析 | 第53-55页 |
| §4.4 无催化剂热蒸发法合成的单个四角状ZnO纳米线的Raman散射研究 | 第55-61页 |
| §4.4.1 一维ZnO四角晶须状纳米结构的制备 | 第55-57页 |
| §4.4.2 单个一维四角晶须状ZnO纳米线Raman光谱 | 第57-59页 |
| §4.4.3 一维ZnO四角晶须状纳米线的偏振Raman散射 | 第59-61页 |
| §4.5 单个ZnO纳米环偏振Micro-Raman mapping | 第61-63页 |
| §4.6 一维ZnO纳米棒体系的共振Raman光谱研究 | 第63-69页 |
| §4.6.1 一维ZnO纳米棒样品制备 | 第64页 |
| §4.6.2 一维ZnO纳米棒的共振Raman光谱 | 第64-66页 |
| §4.6.3 一维ZnO纳米棒共振Raman与温度的依赖关系 | 第66-69页 |
| §4.7 结论 | 第69-71页 |
| 第五章 一维ZnO纳米棒的线性和非线性光致发光谱研究 | 第71-81页 |
| §5.1 引言 | 第71页 |
| §5.2 一维ZnO纳米棒的线性和非线性光谱研究 | 第71-80页 |
| §5.2.1 一维ZnO纳米棒的线性单光子光致发光光谱 | 第71-73页 |
| §5.2.2 一维ZnO纳米棒的双光子诱导非线性光致发光光光谱 | 第73-80页 |
| §5.3 结论 | 第80-81页 |
| 附录 | 第81-91页 |
| §f.1 晶体Raman散射 | 第81-84页 |
| §f.1.1 晶体Raman散射晶格动力学 | 第81页 |
| §f.1.2 Raman散射物理解释 | 第81-83页 |
| §f.1.3 共振Raman简单的理论介绍 | 第83-84页 |
| §f.1.4 共振Raman散射的特点 | 第84页 |
| §f.1.5 入射共振和出射共振的现象 | 第84页 |
| §f.2 双光子吸收 | 第84-87页 |
| §f.2.1 双光子吸收的历史和发展 | 第84-85页 |
| §f.2.2 双光子吸收的物理过程 | 第85-86页 |
| §f.2.3 双光子吸收的特点 | 第86页 |
| §f.2.4 双光子吸收的物理根源 | 第86-87页 |
| §f.3 半导体的光学特性 | 第87-91页 |
| §f.3.1 半导体线性光学性质 | 第87-88页 |
| §f.3.2 非共振非线性光学效应 | 第88-91页 |
| 参考文献 | 第91-99页 |
| 博士期间发表的论文 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
