| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 SiC材料的特性及研究意义 | 第7-16页 |
| ·SiC材料的基本特性及研究进展 | 第7-10页 |
| ·SiC材料的基本特性 | 第7-8页 |
| ·SiC材料的研究进展 | 第8页 |
| ·SiC器件研究进展 | 第8-10页 |
| ·SiC欧姆接触工艺国内外研究进展 | 第10-13页 |
| ·国内外的研究进展 | 第10-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 金属─半导体接触原理 | 第16-34页 |
| ·金属─半导体接触 | 第16-18页 |
| ·金属和半导体的功函数 | 第16-17页 |
| ·金属─半导体接触电势差 | 第17-18页 |
| ·接触势垒及界面态对欧姆接触的影响 | 第18-26页 |
| ·肖特基接触 | 第18-19页 |
| ·欧姆接触及其形成机理 | 第19-20页 |
| ·界面态:费米能级钉扎─巴丁模型 | 第20-22页 |
| ·外延M-S界面:肖特基势垒和界面结构的关系 | 第22页 |
| ·M-S界面反应─SBH | 第22-23页 |
| ·SBH和原子的电负性之间的联系 | 第23-24页 |
| ·界面多晶结构的存在对SBH的影响 | 第24-26页 |
| ·金─半接触中电子的输运的主要三种机理 | 第26-31页 |
| ·电子越过势垒顶部发射的电流输运机理 | 第26-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 Ni/6H-SiC欧姆接触制备及其机理研究 | 第34-52页 |
| ·Ni/6H-SIC欧姆接触及机理研究现状 | 第34-38页 |
| ·样品制备及其表征 | 第38-49页 |
| ·电学特性(I-V)测量 | 第39-40页 |
| ·接触电阻率测量及计算 | 第40-42页 |
| ·物理特性SEM表征 | 第42-43页 |
| ·实验结果与讨论 | 第43-44页 |
| ·实验前的样品表面XPS测试分析 | 第44-45页 |
| ·样品的XRD分析 | 第45页 |
| ·深度剖析图测试分析 | 第45-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 结论 | 第52-53页 |
| 科研成果简介 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55页 |