| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 SiC综述 | 第11-24页 |
| ·SiC材料性质和相关工艺 | 第11-18页 |
| ·SiC半导体器件的目前状况 | 第18-19页 |
| ·本论文研究意义 | 第19-20页 |
| ·本文的主要工作 | 第20-24页 |
| 第二章 6H-SiC的辐照损伤 | 第24-37页 |
| ·半导体辐照损伤的产生和退火 | 第24-27页 |
| ·载流子通过深能级的俘获和复合 | 第27-29页 |
| ·辐照缺陷对材料和器件的影响 | 第29-30页 |
| ·SiC材料辐照诱生缺陷的光致发光研究 | 第30页 |
| ·SiC材料辐照诱生缺陷的深能级瞬态谱研究 | 第30-37页 |
| 第三章 测试技术 | 第37-52页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·光致发光谱原理 | 第37-42页 |
| ·深能级瞬态谱 | 第42-48页 |
| ·正电子寿命谱和电子顺磁共振 | 第48-49页 |
| ·样品的制备 | 第49-52页 |
| 第四章 电子(中子)辐照n型六方碳化硅的低温光致发光(LTPL)研究 | 第52-67页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·样品参数及实验设备 | 第53-54页 |
| ·实验结果与讨论 | 第54-61页 |
| ·小结 | 第61-67页 |
| 第五章 p型6H-SiC中辐照诱生缺陷的深能级瞬态谱(DLTS)研究 | 第67-89页 |
| ·引言 | 第67-69页 |
| ·样品的制备 | 第69-70页 |
| ·实验结果和讨论 | 第70-84页 |
| ·小结 | 第84-89页 |
| 第六章 总结 | 第89-91页 |
| 在学期间科研成果简介 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |