| 中文摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN晶体结构及主要性质 | 第11-12页 |
| 1.3 GaN材料国内外研究近况及研究意义 | 第12-14页 |
| 1.3.1 GaN基合金的研究近况 | 第12-13页 |
| 1.3.2 单层GaN材料的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 论文主要工作及内容安排 | 第14-16页 |
| 第二章 理论背景介绍 | 第16-26页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第16-23页 |
| 2.2 第一性原理计算 | 第23-25页 |
| 2.2.1 自洽计算 | 第23-24页 |
| 2.2.2 LDA-1/2带隙修正方法 | 第24-25页 |
| 2.2.3 VASP软件包 | 第25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 不同构型(In,Al)GaN合金的发光机理 | 第26-34页 |
| 3.1 理论模型和计算方法 | 第26-27页 |
| 3.1.1 理论模型 | 第26页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第26-27页 |
| 3.2 不同构型(In,Al)GaN合金发光机理的结果与讨论 | 第27-33页 |
| 3.2.1 本征GaN,AlN,InN的结果分析 | 第27-29页 |
| 3.2.2 (In,Al)GaN合金中不同原子分布对电子结构的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.3 (In,Al)GaN合金的电子局域 | 第30-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 单层GaN的缺陷和非磁性金属掺杂的电子结构和磁性 | 第34-42页 |
| 4.1 理论模型和计算方法 | 第34-35页 |
| 4.1.1 理论模型 | 第34页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第34-35页 |
| 4.2 计算结果与讨论 | 第35-41页 |
| 4.2.1 单层GaN的电子特性 | 第35-36页 |
| 4.2.2 X原子掺杂单层GaN的稳定性 | 第36页 |
| 4.2.3 X原子掺杂单层GaN的磁性 | 第36-39页 |
| 4.2.4 两个X原子掺杂单层GaN的磁耦合 | 第39-41页 |
| 4.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 单、双轴应变对单层GaN电子结构以及迁移率的影响 | 第42-50页 |
| 5.1 理论模型和计算方法 | 第42-43页 |
| 5.1.1 理论模型 | 第42页 |
| 5.1.2 计算方法 | 第42-43页 |
| 5.2 计算结果与讨论 | 第43-48页 |
| 5.2.1 二维单层GaN的电子特性 | 第43页 |
| 5.2.2 双轴应变下二维单层GaN的电子特性 | 第43-45页 |
| 5.2.3 二维单层GaN的载流子迁移率 | 第45-46页 |
| 5.2.4 单双轴应变对二维单层GaN的载流子迁移率的影响 | 第46-48页 |
| 5.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 总结与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第61页 |
