| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体光电子器件 | 第9-11页 |
| 1.3 二氧化锡的性质与应用 | 第11-13页 |
| 1.4 p型二氧化锡薄膜的研究进展 | 第13-15页 |
| 1.5 本文选题意义及研究内容 | 第15-16页 |
| 1.5.1 本文选题的意义 | 第15-16页 |
| 1.5.2 本文研究的主要内容 | 第16页 |
| 1.6 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第17-31页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 多粒子体系方程 | 第17-19页 |
| 2.2.1 Born-Oppenheimei近似 | 第18-19页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第19页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第19-22页 |
| 2.3.1 Hohenber-Kohn定理 | 第19-20页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第20页 |
| 2.3.3 交换关联泛函 | 第20-22页 |
| 2.4 平面波赝势法 | 第22-24页 |
| 2.4.1 平面波方法 | 第22页 |
| 2.4.2 赝势 | 第22-24页 |
| 2.5 缺陷能级及其形成能 | 第24-26页 |
| 2.5.1 受主能级及其电离能 | 第24-25页 |
| 2.5.2 缺陷形成能及计算 | 第25-26页 |
| 2.6 光学性质理论基础 | 第26-27页 |
| 2.7 计算软件Materials Studio介绍 | 第27-28页 |
| 2.8 收敛性测试 | 第28-29页 |
| 2.8.1 平面波Energy-cutoff测试 | 第28-29页 |
| 2.8.2 布里渊区K点取样测试 | 第29页 |
| 2.9 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 Ag、Al单掺杂SnO_2的电子结构和光学性质 | 第31-46页 |
| 3.1 前言 | 第31页 |
| 3.2 模型建立与计算参数设置 | 第31-32页 |
| 3.3 计算结果与分析 | 第32-45页 |
| 3.3.1 结构优化 | 第32-33页 |
| 3.3.2 Ag、Al单掺杂SnO_2体系的电子结构分析 | 第33-37页 |
| 3.3.3 Al浓度和Ag-Al共掺杂对SnO_2性质的影响 | 第37-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 Al-N共掺SnO_2的电子结构和光学性质 | 第46-66页 |
| 4.1 前言 | 第46-47页 |
| 4.2 结构模型与计算参数设置 | 第47页 |
| 4.3 计算结果与分析 | 第47-64页 |
| 4.3.1 结构优化 | 第47-49页 |
| 4.3.2 Al-N共掺SnO_2体系的电子结构分析 | 第49-52页 |
| 4.3.3 Al元素浓度对Al-N共掺SnO_2体系的影响 | 第52-58页 |
| 4.3.4 N元素浓度对Al-N共掺SnO_2体系的影响 | 第58-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-69页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 本文创新点 | 第67-68页 |
| 5.3 下一步工作展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 在学期间发表的学术论文以及其他科研成果 | 第76页 |
