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用于光探测的新型半导体异质结特性研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
符号对照表第13-15页
缩略语对照表第15-19页
第一章 绪论第19-25页
    1.1 研究背景及意义第19-21页
    1.2 国内外研究现状第21-24页
        1.2.1 ZnMgO/ZnO异质结输运特性第21-22页
        1.2.2 合金群散射对异质结性能的影响第22-23页
        1.2.3 ZnO基量子阱的子带间跃迁第23-24页
    1.3 论文内容安排第24-25页
第二章 ZnMgO/ZnO异质结材料低场输运性质研究第25-37页
    2.1 ZnO的基本结构与特性第25-27页
        2.1.1 ZnO的晶体结构第25-26页
        2.1.2 ZnO的光学特性第26页
        2.1.3 ZnO的电学特性第26-27页
    2.2 ZnMgO及ZnMgO/ZnO异质结的材料特性第27-30页
        2.2.1 ZnMgO的基本特性第27-28页
        2.2.2 ZnMgO/ZnO异质结中2DEG特性第28-30页
    2.3 2DEG子带能级的计算第30-33页
    2.4 2DEG的迁移率第33-36页
        2.4.1 主要散射机制分析第33-36页
        2.4.2 电子迁移率的计算第36页
    2.5 本章小结第36-37页
第三章 合金群散射对ZnMgO/ZnO异质结输运特性影响的研究第37-53页
    3.1 ZnO和ZnMgO的能带结构第37-39页
    3.2 合金群散射第39-41页
        3.2.1 合金组分波动的作用第39页
        3.2.2 合金群散射矩阵元的推导第39-41页
    3.3 ZnMgO/ZnO异质结中2DEG低温输运性质的解析计算第41-45页
    3.4 MonteCarlo模型的建立第45-46页
    3.5 合金群散射对2DEG低场输运特性影响的MonteCarlo模拟第46-49页
        3.5.1 群尺寸对2DEG迁移率的影响第46-47页
        3.5.2 Mg组分波动对迁移率的影响第47-48页
        3.5.3 迁移率与2DEG面密度关系模拟第48-49页
    3.6 合金群散射对2DEG高场输运性质影响的MonteCarlo模拟第49-52页
        3.6.1 合金群散射对稳态特性的影响第49-50页
        3.6.2 合金群散射对瞬态特性的影响第50-51页
        3.6.3 合金群散射对子带和能谷占据率的影响第51-52页
    3.7 本章小结第52-53页
第四章 ZnMgO/MgO/ZnO异质结材料特性的计算第53-65页
    4.1 极化效应和内建电场强度的计算第53-56页
    4.2 电子波函数的自洽求解第56-57页
    4.3 ZnMgO/MgO/ZnO中2DEG分布的尺寸效应与三元混晶效应第57-60页
        4.3.1 ZnMgO/MgO/ZnO异质结的导带结构和基态电子波函数第57-59页
        4.3.2 ZnMgO/MgO/ZnO异质结的电子面密度第59-60页
    4.4 内建电场对子带间跃迁光吸收的作用第60-63页
        4.4.1 电子子带间跃迁光学吸收系数的计算第60-61页
        4.4.2 子带间光学吸收系数和入射光波长的关系第61-63页
    4.5 本章小结第63-65页
第五章 总结与展望第65-67页
参考文献第67-75页
致谢第75-77页
作者简介第77-79页

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