| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 气敏器件研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 二维材料MXenes和MX研究现状及存在问题 | 第12-15页 |
| 1.3 论文研究内容与目标 | 第15-16页 |
| 第二章 理论研究基础 | 第16-24页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第16-22页 |
| 2.1.1 绝热近似与哈特里-福克(Hartree-Fock)近似 | 第16-19页 |
| 2.1.2 Hohenberg-kohn定理 | 第19页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第20-21页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第21-22页 |
| 2.2 量子化学程序包简介 | 第22-24页 |
| 第三章 二维半导体M_2CO_2材料的气敏特性 | 第24-38页 |
| 3.1 研究背景 | 第24-25页 |
| 3.2 理论模型和方法 | 第25页 |
| 3.3 计算结果与讨论 | 第25-36页 |
| 3.3.1 SO_2吸附前后M_2CO_2单层的结构 | 第25-28页 |
| 3.3.2 不同M_2CO_2单层对气体SO_2的选择性 | 第28-31页 |
| 3.3.3 Sc_2CO_2单层对气体SO_2的敏感性 | 第31-32页 |
| 3.3.4 双轴应变对SO_2吸附性质的调制 | 第32-34页 |
| 3.3.5 外加电场对SO_2吸附性质的调制 | 第34-36页 |
| 3.3.6 不同二维材料对SO_2气体选择性的比较 | 第36页 |
| 3.4 结论 | 第36-38页 |
| 第四章 二维半导体GeS材料的气敏特性 | 第38-52页 |
| 4.1 研究背景 | 第38-39页 |
| 4.2 理论模型和方法 | 第39-40页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第40-50页 |
| 4.3.1 气体小分子吸附前后GeS单层的结构 | 第40页 |
| 4.3.2 GeS单层对气体NO_2的选择性 | 第40-46页 |
| 4.3.3 GeS单层对气体NO_2的敏感性 | 第46-47页 |
| 4.3.4 应变对NO_2在GeS单层上吸附性能的调制 | 第47-48页 |
| 4.3.5 外加电场对NO_2在GeS单层上吸附性能的调制 | 第48-49页 |
| 4.3.6 不同二维材料对NO_2气体选择性的比较 | 第49-50页 |
| 4.4 结论 | 第50-52页 |
| 第五章 总结及展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第62-64页 |
