| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 二维材料的研究进展 | 第9-12页 |
| 1.2 二维材料的应用瓶颈 | 第12-14页 |
| 1.3 GeP_3介绍 | 第14-15页 |
| 1.4 论文结构 | 第15-16页 |
| 第2章 理论基础 | 第16-26页 |
| 2.1 密度泛函理论简介 | 第16-20页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第16-17页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第17页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第17-19页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第19-20页 |
| 2.2 形变势理论 | 第20-22页 |
| 2.2.1 有效质量 | 第20-22页 |
| 2.3 格林函数 | 第22-24页 |
| 2.3.1 平衡格林函数 | 第22-23页 |
| 2.3.2 非平衡格林函数 | 第23-24页 |
| 2.4 VASP软件包简介 | 第24-25页 |
| 2.5 Nanodcal软件包简介 | 第25-26页 |
| 第3章 应力对单层GeP_3电子性质的调控 | 第26-34页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 计算模型和参数设置 | 第26-27页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第27-32页 |
| 3.3.1 应变对单层GeP_3的能带结构调控 | 第27-30页 |
| 3.3.2 应力对有效质量和载流子迁移率的影响 | 第30-32页 |
| 3.4 应力对单层GeP_3带隙的调控 | 第32-33页 |
| 3.5 小结 | 第33-34页 |
| 第4章 应力对GeP_3电流电压特性的调控 | 第34-40页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 结构模型和参数设置 | 第34-36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-39页 |
| 4.4 小结 | 第39-40页 |
| 第5章 应力对单层GeP_3光电流的调控 | 第40-48页 |
| 5.1 引言 | 第40页 |
| 5.2 光电流的计算方法 | 第40-41页 |
| 5.3 结构模型和参数设置 | 第41-42页 |
| 5.4 结果与讨论 | 第42-47页 |
| 5.4.1 沿Zigzag方向线偏振光照射的光电流 | 第42-44页 |
| 5.4.2 沿Armchair方向线偏振光照射的光电流 | 第44-46页 |
| 5.4.3 沿Armchair方向右旋圆偏振光照射的光电流 | 第46-47页 |
| 5.5 小结 | 第47-48页 |
| 第6章 总结和展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
