| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体自旋电子学 | 第9-10页 |
| 1.2 磁性半导体 | 第10-11页 |
| 1.3 稀磁半导体(Ga,Mn)As | 第11-15页 |
| 1.3.1 结构特征 | 第11-12页 |
| 1.3.2 磁性质 | 第12-13页 |
| 1.3.3 磁输运性质 | 第13-15页 |
| 1.4 提高居里温度的方法 | 第15-16页 |
| 1.4.1 低温退火处理 | 第15页 |
| 1.4.2 共掺杂 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的研究内容、意义和组织结构 | 第16-17页 |
| 第2章 理论基础 | 第17-23页 |
| 2.1 齐纳模型(Zener Model) | 第17-19页 |
| 2.1.1 短程反铁磁超交换与铁磁双交换作用 | 第17页 |
| 2.1.2 RKKY相互作用 | 第17-18页 |
| 2.1.3 自由空穴诱导铁磁性的Zener模型 | 第18页 |
| 2.1.4 (Ga,Mn)As的平均场理论 | 第18-19页 |
| 2.2 拉曼光谱 | 第19-23页 |
| 2.2.1 拉曼散射的基本概念 | 第19-20页 |
| 2.2.2 载流子浓度相关的理论模型 | 第20-23页 |
| 第3章 材料生长与测试技术 | 第23-27页 |
| 3.1 分子束外延生长技术 | 第23-24页 |
| 3.2 X射线衍射 | 第24-25页 |
| 3.3 超导量子干涉仪 | 第25-26页 |
| 3.4 拉曼散射 | 第26-27页 |
| 第4章 Sb并入对(Ga,Mn)(As,Sb)晶体结构和磁性质的影响 | 第27-35页 |
| 4.1 引言 | 第27页 |
| 4.2 (Ga,Mn)(As,Sb)薄膜的制备 | 第27-28页 |
| 4.3 (Ga,Mn)(As,Sb)的晶体结构分析 | 第28-29页 |
| 4.4 (Ga,Mn)(As,Sb)的磁性质研究 | 第29-33页 |
| 4.4.1 SQUID测量结果分析 | 第29-31页 |
| 4.4.2 反常霍尔效应测量空穴浓度 | 第31-32页 |
| 4.4.3 Zener模型拟合及交换能计算 | 第32-33页 |
| 4.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第5章 (Ga,Mn)(As,Sb)的拉曼光谱研究 | 第35-42页 |
| 5.1 引言 | 第35页 |
| 5.2 样品与实验 | 第35页 |
| 5.3 实验结果与分析 | 第35-41页 |
| 5.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第6章 结论与展望 | 第42-44页 |
| 6.1 全文总结 | 第42页 |
| 6.2 展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 作者简介 | 第50页 |
