| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 In_2O_3的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 In_2O_3中本征点缺陷的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4 ZnO和MgZnO的基本性质 | 第15-17页 |
| 1.5 ZnO中点缺陷的研究现状及其施主掺杂问题 | 第17-18页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 实验方法及原理介绍 | 第20-34页 |
| 2.1 射频等离子体辅助分子束外延(rf-MBE)系统 | 第20-24页 |
| 2.1.1 MBE源炉 | 第21-22页 |
| 2.1.2 射频等离子体源 | 第22-23页 |
| 2.1.3 反射式高能电子衍射仪(RHEED) | 第23-24页 |
| 2.2 二次离子质谱(SIMS) | 第24-27页 |
| 2.2.1 工作原理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 定量分析 | 第26-27页 |
| 2.3 变温霍尔测试(TDH) | 第27-29页 |
| 2.4 光致发光(PL)光谱和时间分辨光致发光(TRPL)光谱 | 第29-32页 |
| 2.4.1 光致发光(PL)光谱 | 第29-31页 |
| 2.4.2 时间分辨光致发光(TRPL)光谱 | 第31-32页 |
| 2.5 其他表征手段 | 第32-34页 |
| 第3章 In_2O_3单晶薄膜的生长及其氧空位的能量学特性研究 | 第34-49页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 In_2O_3单晶薄膜的外延生长 | 第35-40页 |
| 3.2.1 YSZ(100)衬底上In_2O_3单晶薄膜的外延生长 | 第36-39页 |
| 3.2.2 α-Al_2O_3 (0001)衬底上In_2O_3单晶薄膜的外延生长 | 第39-40页 |
| 3.3 In_2O_3中氧空位的能量学特性 | 第40-47页 |
| 3.3.1 氧空位对In_2O_3中氧自扩散行为的影响 | 第40-45页 |
| 3.3.2 In_2O_3中的氧空位缺陷态 | 第45-47页 |
| 3.4 小结 | 第47-49页 |
| 第4章 稼掺杂ZnO中受主复合缺陷的研究 | 第49-75页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 镓掺杂ZnO中受主复合缺陷的鉴别 | 第50-62页 |
| 4.2.1 镓掺杂ZnO中缺陷的锌同位素自扩散研究 | 第50-58页 |
| 4.2.2 Ga_(Zn)-V_(Zn)复合缺陷的能量学特性及相关电性补偿研究 | 第58-62页 |
| 4.3 镓掺杂ZnO中(Ga_(Zn)-V_(Zn))-复合缺陷的光动力学研究 | 第62-65页 |
| 4.4 关于镓掺杂ZnO中缺陷-表面等离子体耦合的研究 | 第65-74页 |
| 4.4.1 表面沉积银纳米球的镓掺杂ZnO样品的制备 | 第66-67页 |
| 4.4.2 镓掺杂ZnO中缺陷与银纳米球的表面等离子体耦合 | 第67-74页 |
| 4.5 小结 | 第74-75页 |
| 第5章 MgZnO中氧空位的能量学特性研究 | 第75-84页 |
| 5.1 引言 | 第75-76页 |
| 5.2 不同极性和Mg组分的纤锌矿相MgZnO单晶薄膜的外延生长 | 第76-78页 |
| 5.3 纤锌矿相MgZnO单晶薄膜中氧自扩散的实验研究 | 第78-82页 |
| 5.3.1 Mg组分对MgZnO中氧空位点缺陷能量学特性的影响 | 第78-81页 |
| 5.3.2 薄膜极性对MgZnO中氧空位点缺陷能量学特性的影响 | 第81-82页 |
| 5.4 小结 | 第82-84页 |
| 第6章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-95页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
