摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-27页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 半导体简介 | 第10-15页 |
1.2.1 半导体的分类 | 第10-11页 |
1.2.2 半导体的发展 | 第11-15页 |
1.3 太阳能电池简介 | 第15-24页 |
1.3.1 太阳能电池的原理及理想条件 | 第15-19页 |
1.3.2 太阳能电池的种类及发展现状 | 第19-24页 |
1.4 本论文的研究意义和主要内容 | 第24-27页 |
第二章 理论和计算方法 | 第27-39页 |
2.1 多粒子体系的薛定谔方程 | 第27-31页 |
2.1.1 波恩-奥本海默(Bonn-Oppenheimer)近似 | 第28-29页 |
2.1.2 哈特里-福克(Hartree-Fock)近似 | 第29-31页 |
2.2 密度泛函理论 | 第31-33页 |
2.2.1 Hohenberg-Kohn理论:多体理论 | 第31-33页 |
2.2.2 Kohn-Sham方程:有效单电子近似 | 第33页 |
2.3 交换-关联泛函 | 第33-35页 |
2.3.1 局域密度近似 | 第34页 |
2.3.2 广义梯度近似 | 第34-35页 |
2.4 平面波方法 | 第35-36页 |
2.5 赝势方法 | 第36-37页 |
2.6 CASTEP 简介 | 第37-39页 |
第三章 合金半导体Cu_2ZnGe(Se_xS_(1-x))_4的第一性原理研究 | 第39-53页 |
3.1 引言 | 第39-40页 |
3.2 理论模型与计算方法 | 第40-41页 |
3.3 计算结果与分析 | 第41-50页 |
3.3.1 电学性质 | 第41-44页 |
3.3.2 弹性性质 | 第44-46页 |
3.3.3 光学性质 | 第46-50页 |
3.4 本章小结 | 第50-53页 |
第四章 利用导模共振增强MoS_2吸收的理论研究 | 第53-63页 |
4.1 引言 | 第53-54页 |
4.2 理论模型与计算方法 | 第54-56页 |
4.3 计算结果与分析 | 第56-61页 |
4.4 本章小结 | 第61-63页 |
第五章 缺陷精金化合物CuGaGeSe_4的理论研究 | 第63-71页 |
5.1 引言 | 第63页 |
5.2 理论模型与计算方法 | 第63-64页 |
5.3 计算结果与分析 | 第64-69页 |
5.3.1 电学性质 | 第64-66页 |
5.3.2 弹性性质 | 第66-67页 |
5.3.3 光学性质 | 第67-69页 |
5.4 本章小结 | 第69-71页 |
第六章 缺陷精金化合物CuGaSnSe_4的理论研究 | 第71-79页 |
6.1 引言 | 第71-72页 |
6.2 理论模型与计算方法 | 第72页 |
6.3 计算结果与分析 | 第72-78页 |
6.3.1 电学性质 | 第72-75页 |
6.3.2 弹性性质 | 第75-76页 |
6.3.3 光学性质 | 第76-78页 |
6.4 本章小结 | 第78-79页 |
第七章 总结与展望 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-89页 |
致谢 | 第89-91页 |
攻读博士学位期间发表论文汇总 | 第91-92页 |