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几种不同结构典型半导体的光电性质的模拟研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-27页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 半导体简介第10-15页
        1.2.1 半导体的分类第10-11页
        1.2.2 半导体的发展第11-15页
    1.3 太阳能电池简介第15-24页
        1.3.1 太阳能电池的原理及理想条件第15-19页
        1.3.2 太阳能电池的种类及发展现状第19-24页
    1.4 本论文的研究意义和主要内容第24-27页
第二章 理论和计算方法第27-39页
    2.1 多粒子体系的薛定谔方程第27-31页
        2.1.1 波恩-奥本海默(Bonn-Oppenheimer)近似第28-29页
        2.1.2 哈特里-福克(Hartree-Fock)近似第29-31页
    2.2 密度泛函理论第31-33页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn理论:多体理论第31-33页
        2.2.2 Kohn-Sham方程:有效单电子近似第33页
    2.3 交换-关联泛函第33-35页
        2.3.1 局域密度近似第34页
        2.3.2 广义梯度近似第34-35页
    2.4 平面波方法第35-36页
    2.5 赝势方法第36-37页
    2.6 CASTEP 简介第37-39页
第三章 合金半导体Cu_2ZnGe(Se_xS_(1-x))_4的第一性原理研究第39-53页
    3.1 引言第39-40页
    3.2 理论模型与计算方法第40-41页
    3.3 计算结果与分析第41-50页
        3.3.1 电学性质第41-44页
        3.3.2 弹性性质第44-46页
        3.3.3 光学性质第46-50页
    3.4 本章小结第50-53页
第四章 利用导模共振增强MoS_2吸收的理论研究第53-63页
    4.1 引言第53-54页
    4.2 理论模型与计算方法第54-56页
    4.3 计算结果与分析第56-61页
    4.4 本章小结第61-63页
第五章 缺陷精金化合物CuGaGeSe_4的理论研究第63-71页
    5.1 引言第63页
    5.2 理论模型与计算方法第63-64页
    5.3 计算结果与分析第64-69页
        5.3.1 电学性质第64-66页
        5.3.2 弹性性质第66-67页
        5.3.3 光学性质第67-69页
    5.4 本章小结第69-71页
第六章 缺陷精金化合物CuGaSnSe_4的理论研究第71-79页
    6.1 引言第71-72页
    6.2 理论模型与计算方法第72页
    6.3 计算结果与分析第72-78页
        6.3.1 电学性质第72-75页
        6.3.2 弹性性质第75-76页
        6.3.3 光学性质第76-78页
    6.4 本章小结第78-79页
第七章 总结与展望第79-81页
参考文献第81-89页
致谢第89-91页
攻读博士学位期间发表论文汇总第91-92页

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