稀磁半导体纳米带的磁学性质
| 内容提要 | 第4-7页 |
| 第1章 引言 | 第7-13页 |
| 1.1 稀磁半导体 | 第7-11页 |
| 1.2 稀磁半导体纳米带 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 模型及理论推导 | 第13-28页 |
| 2.1 模型 | 第13-15页 |
| 2.2 平均场近似下的稀磁半导体纳米带模型 | 第15-25页 |
| 2.2.1 平均场近似下的理论推导 | 第15-18页 |
| 2.2.2 能带结构与自洽方程的求解 | 第18-25页 |
| 2.3 低温下的自旋波波谱 | 第25-28页 |
| 2.3.1 自旋波近似下的自旋波谱 | 第25-27页 |
| 2.3.2 自旋波波谱的自洽求解 | 第27-28页 |
| 第3章 数值结果与讨论 | 第28-40页 |
| 3.1 平均场近似下磁化强度的数值计算结果 | 第28-35页 |
| 3.1.1 载流子密度对磁化强度的影响 | 第30-32页 |
| 3.1.2 杂质密度对磁化强度的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.3 平均场理论的局限性 | 第34-35页 |
| 3.2 自旋波波谱的数值计算结果 | 第35-40页 |
| 3.2.1 载流子密度对自旋波波谱的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2 杂质密度对自旋波波谱的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 纳米带宽度对自旋波波谱的影响 | 第38-40页 |
| 第4章 总结 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 摘要 | 第46-48页 |
| Abstract | 第48-50页 |
