飞秒激光微构造硅的光电性质研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 飞秒激光与物质的相互作用简介 | 第7-9页 |
| 1.3 “黑硅”简介 | 第9-12页 |
| 1.3.1 高吸收特性 | 第10页 |
| 1.3.2 发光特性 | 第10-11页 |
| 1.3.3 光电响应特性 | 第11-12页 |
| 1.3.4 高发射率特性 | 第12页 |
| 1.4 本论文主要内容及安排 | 第12-14页 |
| 第二章 飞秒激光微构造硅的实验装置 | 第14-23页 |
| 2.1 系统介绍 | 第14页 |
| 2.2 飞秒激光系统 | 第14-16页 |
| 2.2.1 振荡级 | 第14-15页 |
| 2.2.2 放大级 | 第15-16页 |
| 2.3 微构造系统 | 第16-19页 |
| 2.3.1 真空系统 | 第17-18页 |
| 2.3.2 监视光路 | 第18-19页 |
| 2.4 样品制备流程 | 第19-20页 |
| 2.4.1 实验样品准备 | 第19页 |
| 2.4.2 样品微构造过程 | 第19-20页 |
| 2.5 表面微结构的控制 | 第20-23页 |
| 2.5.1 不同气体背景的影响 | 第20-21页 |
| 2.5.2 不同能量的影响 | 第21-22页 |
| 2.5.3 其它因素的影响 | 第22-23页 |
| 第三章 微构造硅的光学特性 | 第23-33页 |
| 3.1 介绍 | 第23页 |
| 3.2 提升的吸收率 | 第23-29页 |
| 3.2.1 测试装置 | 第23-24页 |
| 3.2.2 测量结果 | 第24-29页 |
| 3.3 高吸收机理的探讨 | 第29-33页 |
| 第四章 微构造硅的光谱发射率 | 第33-41页 |
| 4.1 介绍 | 第33页 |
| 4.2 实验装置 | 第33-34页 |
| 4.3 提升的法向光谱发射率 | 第34-37页 |
| 4.3.1 硅衬底的发射率 | 第34-35页 |
| 4.3.2 不同尖峰高度的微构造硅的发射率 | 第35页 |
| 4.3.3 不同温度下微构造硅的发射率 | 第35-36页 |
| 4.3.4 与标准黑体发射率的对比 | 第36-37页 |
| 4.4 镀金膜的微构造硅的发射率 | 第37-39页 |
| 4.4.1 镀金膜的微构造硅的发射率随温度的变化 | 第38页 |
| 4.4.2 镀金膜的微构造硅的发射率随峰高的变化 | 第38-39页 |
| 4.5 高发射率机理的探讨 | 第39-40页 |
| 4.5.1 微构造硅高发射率的机理 | 第39页 |
| 4.5.2 镀金膜微构造硅高发射率的机理 | 第39-40页 |
| 4.6 应用前景 | 第40-41页 |
| 第五章 原型器件及其光电响应 | 第41-48页 |
| 5.1 p-n结介绍 | 第41-42页 |
| 5.2 原型器件的制作 | 第42-43页 |
| 5.3 测试仪器 | 第43-44页 |
| 5.4 器件的测试仪结果 | 第44-46页 |
| 5.4.1 不加偏压时不同峰高的影响 | 第44页 |
| 5.4.2 不同退火温度的影响 | 第44-45页 |
| 5.4.3 0.5伏偏压下不同峰高的影响 | 第45-46页 |
| 5.5 讨论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
