| 摘要 | 第4-7页 |
| abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-37页 |
| 1.1 信息存储的意义和需求 | 第15-16页 |
| 1.2 电子存储器 | 第16-19页 |
| 1.3 相变存储综述 | 第19-30页 |
| 1.3.1 基本原理 | 第19-21页 |
| 1.3.2 典型材料及其主要性能 | 第21-23页 |
| 1.3.3 相变存储关键技术物理问题及最新研究进展 | 第23-30页 |
| 1.4 提升相变存储性能的关键探索思路 | 第30-35页 |
| 1.5 本论文的研究目的及主要内容 | 第35-37页 |
| 第二章 研究方法及理论基础 | 第37-47页 |
| 2.1 第一性原理理论计算 | 第37页 |
| 2.2 SCHR?DINGER方程及其求解问题 | 第37-40页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第40-43页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第40-41页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第41-42页 |
| 2.3.3 交换关联能泛函 | 第42-43页 |
| 2.4 含时密度泛函理论 | 第43-45页 |
| 2.4.1 Runge-Gross定理 | 第44页 |
| 2.4.2 含时Kohn-Sham方程 | 第44-45页 |
| 2.4.3 绝热交换关联能泛函 | 第45页 |
| 2.5 计算工具简介 | 第45-47页 |
| 第三章 传统相变存储合金锗锑碲非晶态结构-性质关联 | 第47-57页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第47-48页 |
| 3.2 研究方法 | 第48页 |
| 3.3 锗锑碲晶体中的电子极化表征 | 第48-50页 |
| 3.4 锗锑碲非晶态中的电子极化基元 | 第50-54页 |
| 3.5 锗铜碲非晶态的结构和电子结构 | 第54-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 新型相变存储材料锗锑碲超晶格的微观相变机理研究 | 第57-69页 |
| 4.1 研究背景及意义 | 第57-59页 |
| 4.2 研究方法 | 第59-60页 |
| 4.3 基于电子计数模型的半导体电学性质调控方案 | 第60-62页 |
| 4.4 层错运动诱导的绝缘体-金属转变 | 第62-68页 |
| 4.4.1 基于层错运动的局部化学组分调控及其微观动力学机制 | 第62-65页 |
| 4.4.2 绝缘体-金属转变 | 第65-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 超快激光在材料中的力学效应及其对相变的影响 | 第69-89页 |
| 5.1 研究背景及意义 | 第69-70页 |
| 5.2 研究方法 | 第70页 |
| 5.3 超快激光诱导的量子电子应力和原子受力 | 第70-77页 |
| 5.3.1 应力和原子受力产生的物理原理及基本规律 | 第70-73页 |
| 5.3.2 半导体中的量子应力及其影响因素 | 第73-75页 |
| 5.3.3 相变半导体中的原子受力及其影响因素 | 第75-77页 |
| 5.4 电子激发诱导的力学效应在材料相变中的作用 | 第77-83页 |
| 5.4.1 量子应力诱导的超大膨胀 | 第77-79页 |
| 5.4.2 原子受力诱导的固态非晶化 | 第79-83页 |
| 5.5 电子激发诱导的力学效应对超快激光加工的启发 | 第83-88页 |
| 5.5.1 冷晶格加工方案设计 | 第83-85页 |
| 5.5.2 材料结构导向的新型加工方式 | 第85-88页 |
| 5.6 本章小结 | 第88-89页 |
| 第六章 超快激光诱导的有序-有序相变 | 第89-101页 |
| 6.1 研究背景及意义 | 第89-90页 |
| 6.2 研究方法 | 第90-91页 |
| 6.3 电子激发效应的静态分析 | 第91-93页 |
| 6.3.1 激发诱导的势能面突变 | 第91-93页 |
| 6.3.2 晶格对称性依赖的有序原子受力 | 第93页 |
| 6.4 电子激发诱导的菱方-立方超快相变的微观动力学机制 | 第93-100页 |
| 6.4.1 原子尺度的菱方-立方相变动力学过程 | 第93-97页 |
| 6.4.2 电子激发诱导菱方-立方相变的物理特征 | 第97-100页 |
| 6.5 本章小结 | 第100-101页 |
| 第七章 总结与展望 | 第101-105页 |
| 7.1 总结 | 第101-102页 |
| 7.2 展望 | 第102-105页 |
| 参考文献 | 第105-119页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第119-122页 |
| 致谢 | 第122页 |
