| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 层状半导体材料 | 第15-20页 |
| 1.1.1 单元素层状半导体 | 第15页 |
| 1.1.2 双元素化合物层状半导体 | 第15-19页 |
| 1.1.3 三元素化合物层状半导体 | 第19-20页 |
| 1.2 层状半导体的二维结构 | 第20-22页 |
| 1.2.1 常见二维半导体 | 第20-21页 |
| 1.2.2 制备方法 | 第21-22页 |
| 1.3 碘化铋和碘化铅的优异性能 | 第22-26页 |
| 1.3.1 碘化铋 | 第22-23页 |
| 1.3.2 碘化铅 | 第23-26页 |
| 第二章 基础理论 | 第26-32页 |
| 2.1 范德瓦尔斯相互作用 | 第26-27页 |
| 2.2 紧束缚模型 | 第27-28页 |
| 2.3 激子效应 | 第28-32页 |
| 2.3.1 弗兰克尔激子 | 第28-29页 |
| 2.3.2 瓦尼尔—莫特激子 | 第29-30页 |
| 2.3.3 二维材料中的激子 | 第30-32页 |
| 第三章 第一性原理 | 第32-50页 |
| 3.1 理论基础 | 第32-36页 |
| 3.1.1 波恩－奥本海默近似 | 第32-33页 |
| 3.1.2 密度泛函理论 | 第33-35页 |
| 3.1.3 单粒子Kohn-Sham方程的求解 | 第35-36页 |
| 3.2 构造基集的方法 | 第36-42页 |
| 3.2.1 赝势 | 第37-38页 |
| 3.2.2 基于缀加平面波的方法 | 第38-41页 |
| 3.2.3 投射缀加波方法 | 第41-42页 |
| 3.3 交换关联泛函 | 第42-44页 |
| 3.3.1 局域密度近似 | 第42-43页 |
| 3.3.2 广义梯度近似 | 第43-44页 |
| 3.3.3 杂化泛函 | 第44页 |
| 3.4 GW+BSE方法 | 第44-46页 |
| 3.5 常用计算软件 | 第46-50页 |
| 3.5.1 VASP | 第46-47页 |
| 3.5.2 WIEN2k | 第47页 |
| 3.5.3 其他软件 | 第47-50页 |
| 第四章 不同压强下BiI_3的电子结构和光学性质 | 第50-58页 |
| 4.1 研究背景 | 第50页 |
| 4.2 计算方法 | 第50-51页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第51-57页 |
| 4.3.1 压强对晶格参数的影响 | 第51-53页 |
| 4.3.2 压强对电子结构的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.3 压强对光学性质的影响 | 第54-57页 |
| 4.4 小结 | 第57-58页 |
| 第五章 堆叠模式和层间耦合对双层三碘化铋的电子结构和光学性质的影响 | 第58-70页 |
| 5.1 研究背景 | 第58-59页 |
| 5.2 计算方法 | 第59-60页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第60-69页 |
| 5.3.1 结构分析 | 第60-63页 |
| 5.3.2 电子结构 | 第63-65页 |
| 5.3.3 光学性质 | 第65-69页 |
| 5.4 小结 | 第69-70页 |
| 第六章 双层碘化铅的电子结构和光学性质 | 第70-86页 |
| 6.1 研究背景 | 第70-71页 |
| 6.2 计算方法 | 第71页 |
| 6.3 结构与讨论 | 第71-84页 |
| 6.3.1 碘化铅体材料 | 第71-73页 |
| 6.3.2 双层碘化铅的堆叠模式 | 第73-76页 |
| 6.3.3 双层碘化铅的电子性质 | 第76-82页 |
| 6.3.4 双层碘化铅的光学性质 | 第82-84页 |
| 6.4 小结 | 第84-86页 |
| 第七章 激子效应对碘化铅的层依赖和应力依赖光电属性的影响 | 第86-96页 |
| 7.1 研究背景 | 第86-87页 |
| 7.2 计算方法 | 第87页 |
| 7.3 结果与讨论 | 第87-95页 |
| 7.3.1 碘化铅晶体的光学性质 | 第87-89页 |
| 7.3.2 碘化铅的层依赖光学性质 | 第89-93页 |
| 7.3.3 碘化铅的应力依赖光学性质 | 第93-95页 |
| 7.4 小结 | 第95-96页 |
| 第八章 总结与展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-118页 |
| 致谢 | 第118-120页 |
| 攻读博士学位期间发表论文汇总 | 第120-121页 |