| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第13-36页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 PbTe和CdTe的基本物理性质 | 第14-21页 |
| 1.2.1 PbTe和CdTe的物理性质 | 第14-16页 |
| 1.2.2 PbTe和CdTe的能带结构 | 第16-19页 |
| 1.2.3 PbTe的近铁电性 | 第19-21页 |
| 1.3 内嵌于CdTe基底中的PbTe量子点界面 | 第21-27页 |
| 1.4 k·p理论在PbTe低维结构中的应用 | 第27-29页 |
| 1.4.1 PbTe低维结构中的光学跃迁 | 第27-28页 |
| 1.4.2 PbTe低维结构中的自旋轨道耦合分裂 | 第28-29页 |
| 1.5 异质结中的二维电子气 | 第29-30页 |
| 1.6 本论文的工作 | 第30-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 第2章 PbTe体材料k·p理论模型 | 第36-53页 |
| 2.1 k·p理论简介 | 第36-37页 |
| 2.2 PbTe中的k·p模型 | 第37-40页 |
| 2.3 PbTe中的k·p模型参数 | 第40-42页 |
| 2.4 PbTe量子阱中的有效质量和Rashba参数 | 第42-46页 |
| 2.4.1 [111]纵向能谷中的有效质量和Rashba参数 | 第43页 |
| 2.4.2 斜能谷中的有效质量和Rashba参数 | 第43-46页 |
| 2.5 CdTe基嵌入式PbTe量子点的薛定谔方程 | 第46-50页 |
| 2.5.1 量子点中统一的哈密顿表示式 | 第47页 |
| 2.5.2 不同取向斜能谷的坐标变换 | 第47-50页 |
| 2.6 本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第3章 CdTe/PbTe/PbSrTe量子阱中的Rashba分裂能 | 第53-65页 |
| 3.1 引言 | 第53-55页 |
| 3.2 理论模型 | 第55-57页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第57-62页 |
| 3.3.1 CdTe/PbTe/PbSrTe量子阱中的电子分布 | 第57-59页 |
| 3.3.2 各能谷中基态Rashba分裂能 | 第59-60页 |
| 3.3.3 斜能谷中自旋分裂的各向异性 | 第60-61页 |
| 3.3.4 四带模型与12带模型计算结果比较 | 第61-62页 |
| 3.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第4章 CdTe/PbTe异质结的扭转结构 | 第65-80页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 理论模型 | 第66-69页 |
| 4.3 实验 | 第69-70页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第70-77页 |
| 4.4.1 CdTe/PbTe(111)异质结的生长模拟 | 第70-73页 |
| 4.4.2 生长过程中的界面重构 | 第73-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第5章 扭转CdTe/PbTe(111)异质结中的二维电子气 | 第80-96页 |
| 5.1 引言 | 第80-81页 |
| 5.2 理论模型和实验设计 | 第81-83页 |
| 5.2.1 理论模型 | 第81-82页 |
| 5.2.2 实验 | 第82-83页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第83-92页 |
| 5.3.1 扭转界面上的层间褶皱效应 | 第83页 |
| 5.3.2 扭转界面处的态密度 | 第83-86页 |
| 5.3.3 PbTe/CdTe(111)单一界面的带阶 | 第86-87页 |
| 5.3.4 PbTe(111)上CdTe薄膜的金属性 | 第87-92页 |
| 5.4 本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第6章 总结和工作展望 | 第96-101页 |
| 6.1 总结 | 第96-98页 |
| 6.2 工作展望 | 第98-101页 |
| 6.2.1 不同生长方式下的带阶参数 | 第98-99页 |
| 6.2.2 CdTe/PbTe(111)异质结中二维电子气的进一步研究 | 第99-101页 |
| 附录A: D_(3d)群的特征标和基函数表 | 第101-103页 |
| 附录B：计算CdTe/PbTe/PbSrTe非对称量子阱中自旋分裂能部分C++代码 | 第103-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 攻读博士学位期间主要的研究成果 | 第118-119页 |
