| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 引言 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文的研究目的与研究内容 | 第10-11页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第10页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第10-11页 |
| 1.4 论文创新及特色 | 第11-14页 |
| 2 理论模型及算法 | 第14-21页 |
| 2.1 二维GaS结构模型 | 第14-15页 |
| 2.2 计算方法及理论 | 第15-21页 |
| 2.2.1 密度泛函理论的基本概念 | 第15-16页 |
| 2.2.2 vasp计算软件包 | 第16页 |
| 2.2.3 Bloch定理 | 第16-17页 |
| 2.2.4 Brillouin区k点的选取 | 第17页 |
| 2.2.5 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.2.6 赝势理论Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| 2.2.7 计算方法 | 第19-21页 |
| 3 应力对GaS结构和光学性质的影响 | 第21-36页 |
| 3.1 绪论 | 第21页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第21-34页 |
| 3.2.1 应力作用下二维GaS的结构参数 | 第21-22页 |
| 3.2.2 应力作用下二维GaS的能带结构 | 第22-25页 |
| 3.2.3 应力作用下二维GaS的态密度 | 第25-26页 |
| 3.2.4 二维GaS半导体的光解水吸收效率 | 第26-30页 |
| 3.2.5 应力作用下二维GaS的光学性质 | 第30-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 4 GaSSe、GaSTe双面结构和性质 | 第36-54页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 GaSSe和GaSTe的双面结构模型 | 第36-38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-52页 |
| 4.3.1 GaSSe和GaSTe双面结构参数 | 第38-39页 |
| 4.3.2 GaSSe和GaSTe双面结构的稳定性 | 第39-40页 |
| 4.3.3 GaSSe和GaSTe双面结构的能带结构 | 第40-42页 |
| 4.3.4 GaSSe和GaSTe双面结构的态密度 | 第42-45页 |
| 4.3.5 GaSSe和GaSTe双面结构的光解水吸收效率 | 第45-47页 |
| 4.3.6 GaSSe和GaSTe双面结构的光学性质 | 第47-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 5 总结以及展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 附录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
