多物理场中锗在吸收边附近的介电函数模型与测量
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 锗的基本光学性质 | 第8-9页 |
| 1.2 多物理场中锗的光学效应及应用 | 第9-12页 |
| 1.2.1 锗的热光效应及应用研究 | 第9-10页 |
| 1.2.2 锗的弹光效应及应用研究 | 第10-11页 |
| 1.2.3 锗的电光效应及应用研究 | 第11-12页 |
| 1.3 折射率模型 | 第12-14页 |
| 1.3.1 Sellmeier模型 | 第12页 |
| 1.3.2 K-H模型 | 第12-13页 |
| 1.3.3 单振子模型 | 第13页 |
| 1.3.4 P-Y模型 | 第13-14页 |
| 1.4 多物理场效应的表征模型 | 第14-16页 |
| 1.4.1 热光系数模型 | 第14页 |
| 1.4.2 弹光系数模型 | 第14-15页 |
| 1.4.3 电光系数模型 | 第15-16页 |
| 1.5 半导体光学性质的实验测量 | 第16-17页 |
| 1.6 论文内容与章节安排 | 第17-18页 |
| 第2章 吸收边附近锗介电函数模型与多物理场修正 | 第18-38页 |
| 2.1 锗的色散与洛仑兹模型 | 第18-20页 |
| 2.2 锗的电子结构 | 第20-22页 |
| 2.2.1 能带宽度 | 第20-21页 |
| 2.2.2 跃迁强度 | 第21-22页 |
| 2.2.3 线宽参数 | 第22页 |
| 2.3 介电函数模型 | 第22-31页 |
| 2.3.1 临界点模型 | 第22-28页 |
| 2.3.2 弗朗兹-凯尔迪什模型 | 第28-31页 |
| 2.4 物理场中模型的修正 | 第31-37页 |
| 2.4.1 压力场 | 第31-33页 |
| 2.4.2 温度场 | 第33-36页 |
| 2.4.3 电场 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 多晶锗薄膜的制备 | 第38-52页 |
| 3.1 锗薄膜的晶体形态 | 第38-40页 |
| 3.2 半导体制备工艺 | 第40-43页 |
| 3.2.1 蒸发镀膜法 | 第41-42页 |
| 3.2.2 磁控溅射法 | 第42-43页 |
| 3.3 高结晶度锗膜的制备 | 第43-47页 |
| 3.3.1 固相结晶法 | 第43-45页 |
| 3.3.2 固相外延法 | 第45-47页 |
| 3.4 薄膜厚度对测量的影响 | 第47-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 锗弹光系数的实验测量 | 第52-58页 |
| 4.1 弹光系数的实验测量 | 第52-53页 |
| 4.2 弹光系数的测量结果 | 第53-55页 |
| 4.3 实验结果的讨论 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 锗热光系数的实验测量 | 第58-62页 |
| 5.1 热光系数的实验测量 | 第58页 |
| 5.2 热光系数的测量结果 | 第58-60页 |
| 5.3 实验结果的讨论 | 第60-62页 |
| 第6章 总结与后续工作 | 第62-65页 |
| 6.1 论文工作的总结 | 第62-63页 |
| 6.2 目前存在的问题 | 第63-64页 |
| 6.3 后续的工作 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第71页 |
