| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 目次 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 稀磁半导体研究现状简介 | 第9-16页 |
| 1.3 课题选择 | 第16-17页 |
| 第二章 稀磁半导体的磁学机制和物理特性 | 第17-31页 |
| 2.1 磁性的起源与分类 | 第17-18页 |
| 2.1.1 电子的轨道磁矩 | 第17-18页 |
| 2.1.2 电子的自旋本征磁矩 | 第18页 |
| 2.2 磁性物质分类 | 第18-23页 |
| 2.2.1 顺磁性物质 | 第18-20页 |
| 2.2.2 铁磁性物质 | 第20-22页 |
| 2.2.3 自旋玻璃 | 第22-23页 |
| 2.3 物理特性 | 第23-24页 |
| 2.3.1 稀磁半导体磁光特性 | 第23页 |
| 2.3.2 巨磁阻效应 | 第23-24页 |
| 2.3.3 反常霍尔效应 | 第24页 |
| 2.4 稀磁半导体的制备方法 | 第24-27页 |
| 2.4.1 分子束外延法(MBE) | 第24-25页 |
| 2.4.2 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第25页 |
| 2.4.3 离子注入法 | 第25-26页 |
| 2.4.4 脉冲激光沉积(PLD) | 第26页 |
| 2.4.5 溅射沉积 | 第26页 |
| 2.4.6 固相反应法 | 第26-27页 |
| 2.5 物性表征方法 | 第27-31页 |
| 2.5.1 X射线衍射 | 第27-28页 |
| 2.5.2 四引线法测电阻 | 第28-29页 |
| 2.5.3 SQUID测量 | 第29-30页 |
| 2.5.4 霍尔系数的测量 | 第30-31页 |
| 第三章 Cr doped LiZnAs样品的制备以及物性测量分析 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 样品的制备 | 第31-33页 |
| 3.3 Cr-doped LiZnAs样品物性分析 | 第33-40页 |
| 3.3.1 XRD分析 | 第33-35页 |
| 3.3.2 电阻数据分析 | 第35-36页 |
| 3.3.3 磁性分析 | 第36-39页 |
| 3.3.4 霍尔系数的测量 | 第39-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 其他稀磁半导体材料的探索 | 第41-46页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 “1111”体系 | 第41-44页 |
| 4.2.1 Mn-doped LaOZnP样品 | 第41-42页 |
| 4.2.2 Mn-doped YZnAsO样品 | 第42-44页 |
| 4.3 "111" 体系 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第49页 |