| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第10-19页 |
| 1.1 半导体材料发展 | 第10-12页 |
| 1.2 氮化镓材料概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 氮化镓材料发展历史 | 第12-13页 |
| 1.2.2 氮化镓结构特征及物理性质 | 第13-16页 |
| 1.3 氮化镓基高电子迁移率晶体管(GAN-HEMT) | 第16-18页 |
| 1.3.1 GAN-HEMT概述 | 第16-17页 |
| 1.3.2 AL_xGA_(1-x)N/GAN异质结漏电流来源 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文研究背景 | 第18页 |
| 1.5 本论文研究工作及安排 | 第18-19页 |
| 2 AL_xGA_(1-x)N/GAN异质结二维电子气2DEG及电流电压特性 | 第19-37页 |
| 2.1 氮化镓异质结构 | 第19-20页 |
| 2.2 氮化镓异质结中的二维电子气2DEG | 第20-31页 |
| 2.2.1 二维电子气的形成 | 第20-23页 |
| 2.2.2 二维电子气的电子子带计算方法 | 第23-26页 |
| 2.2.3 二维电子气的分布 | 第26-28页 |
| 2.2.4 二维电子气的浓度 | 第28-31页 |
| 2.3 AL_xGA_(1-x)N/GAN异质结电流电压特性 | 第31-36页 |
| 2.3.1 反向串联二极管模型 | 第31-34页 |
| 2.3.2 结型场效应晶体管模型 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 二维电子气热涨落引起的栅漏电流 | 第37-45页 |
| 3.1 物理意义 | 第37页 |
| 3.2 二维电子气的热涨落 | 第37-41页 |
| 3.3 随栅压变化的二维电子气面密度 | 第41-43页 |
| 3.4 二维电子气热涨落引起的栅漏电流 | 第43-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 AL_xGA_(1-x)N层厚度涨落引起的漏电流 | 第45-56页 |
| 4.1 物理意义 | 第45页 |
| 4.2 二维电子气浓度与源极漏极间电压的关系 | 第45-48页 |
| 4.3 AL_xGA_(1-x)/GAN异质结电流电压关系 | 第48-51页 |
| 4.3.1 饱和电压值 | 第48-49页 |
| 4.3.2 电流电压特性曲线 | 第49-51页 |
| 4.4 AL_xGA_(1-x)N层厚度涨落引起的漏电流 | 第51-54页 |
| 4.5 热涨落和表面粗糙度涨落引起的漏电流比较 | 第54-55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 5 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第60-62页 |
| 学位论文数据集 | 第62页 |
