| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 符号说明 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-18页 |
| 1.1 选题背景和研究意义 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外有关THz技术的研究 | 第14-15页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第15-18页 |
| 第二章 样品制备与实验测量方法 | 第18-22页 |
| 2.1 样品的生长和制备 | 第18-20页 |
| 2.1.1 分子束外延(MBE)技术 | 第18-19页 |
| 2.1.2 样品的制备 | 第19-20页 |
| 2.2 实验数据的测量 | 第20-22页 |
| 2.2.1 光致发光(PL)和拉曼(Raman)光谱的测量 | 第20页 |
| 2.2.2 远红外吸收光谱测量 | 第20-22页 |
| 第三章 多量子阱及其中受主的能级结构 | 第22-25页 |
| 3.1 量子阱的能级结构 | 第22-24页 |
| 3.1.1 多量子阱和超晶格 | 第22-23页 |
| 3.1.2 GaAs/AlAs多量子阱的能级结构 | 第23-24页 |
| 3.2 受主Be原子的能级结构 | 第24-25页 |
| 第四章 实验结果分析 | 第25-39页 |
| 4.1 光致发光(PL)实验 | 第25-30页 |
| 4.1.1 光致发光(Photoluminescence) | 第25-26页 |
| 4.1.2 激子 | 第26-27页 |
| 4.1.3 PL光谱的研究 | 第27-29页 |
| 4.1.4 PL光谱研究小结 | 第29-30页 |
| 4.2 拉曼(Raman)散射实验 | 第30-36页 |
| 4.2.1 Raman散射简介 | 第30-32页 |
| 4.2.2 Raman散射实验 | 第32-36页 |
| 4.2.3 Raman与PL光谱的对比 | 第36页 |
| 4.3 Fourier变换红外光谱 | 第36-39页 |
| 4.3.1 红外光谱简介 | 第36-37页 |
| 4.3.2 Fourier变换红外光潜及分析 | 第37-38页 |
| 4.3.3 小结 | 第38-39页 |
| 第五章 限制在GaAs/AlAs量子阱中央Be受主杂质态的计算 | 第39-44页 |
| 5.1 打靶法 | 第39-40页 |
| 5.2 有效质量包络函数近似理论 | 第40-42页 |
| 5.3 计算结果 | 第42-44页 |
| 第六章 总结 | 第44-46页 |
| 6.1 主要结论 | 第44页 |
| 6.2 创新点 | 第44-45页 |
| 6.3 有待进一步开展的工作 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文及参与的课题 | 第53-54页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第54-55页 |
| 附：外文论文 | 第55-58页 |
