首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体性质论文

重金属(Ta,W)对Ni/4H-SiC欧姆接触性能的影响

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第一章 文献综述第10-22页
    1.1 碳化硅器件第10-12页
        1.1.1 碳化硅器件在高温领域的应用第10-12页
        1.1.2 碳化硅器件待攻克的问题第12页
    1.2 碳化硅欧姆接触第12-18页
        1.2.1 退火工艺对欧姆接触接触性能的影响第15-16页
        1.2.2 金属体系对欧姆接触接触性能的影响第16-18页
    1.3 碳化硅高温欧姆接触第18-20页
        1.3.1 高温欧姆接触体系第18-19页
        1.3.2 老化测试及退化机理研究第19-20页
    1.4 本论文主要研究的内容第20-22页
第二章 欧姆接触的制备与表征第22-31页
    2.1 制备工艺第22-25页
        2.1.1 常温欧姆接触制备工艺第22-24页
        2.1.2 高温抗氧化工艺第24-25页
    2.2 表征手段第25-30页
        2.2.1 形貌表征第26-27页
        2.2.2 电学性能表征第27-29页
        2.2.3 物相表征第29-30页
    2.3 本章小结第30-31页
第三章 Ta对Ni/SiC欧姆接触性能的影响第31-44页
    3.1 Ni/SiC高温欧姆接触性能的研究第31-36页
        3.1.1 退火温度对欧姆接触性能的影响第31-33页
        3.1.2 金属层厚度的影响第33-35页
        3.1.3 Ni/SiC体系的高温稳定性及失效机制第35-36页
    3.2 Ni基高温欧姆接触体系的选择原则第36-38页
    3.3 Ni-Ta高温欧姆接触体系研究第38-43页
        3.3.1 探究Ta/SiC欧姆接触性能第38-39页
        3.3.2 探究金属层的堆积方式对欧姆接触性能的影响第39-43页
    3.4 本章小结第43-44页
第四章 W对Ni/SiC欧姆接触性能的影响第44-58页
    4.1 Ni-W高温欧姆接触体系的研究第44-50页
        4.1.1 探究W/SiC体系的欧姆接触性能第44-46页
        4.1.2 探究堆积方式对欧姆接触性能的影响第46-47页
        4.1.3 探究金属层层数对欧姆接触性能的影响第47-49页
        4.1.4 体系的最终优化第49-50页
    4.2 W对Ni/SiC接触性能的影响第50-55页
        4.2.1 W/Ni/SiC反应机理分析第50-52页
        4.2.2 W对Ni/SiC形貌的影响第52-55页
        4.2.3 W对Ni/SiC电学性能的影响第55页
    4.3 高温欧姆接触体系第55-57页
        4.3.1 体系微观结构的退化机制及解决办法第56页
        4.3.2 界面性质的退化机制及解决办法第56-57页
        4.3.3 高温欧姆接触体系的确定流程第57页
    4.4 本章小结第57-58页
第五章 总结与展望第58-60页
参考文献第60-65页
硕士期间主要研究成果第65-66页
致谢第66页

论文共66页,点击 下载论文
上一篇:基于激光测距的脉冲掺镱光纤激光器理论研究
下一篇:Bi2-xCrxTe3/PMN-PT和SrIrO3/PMN-PT异质结电磁性能的研究