| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-33页 |
| 1.1 课题研究背景及选题意义 | 第13-16页 |
| 1.2 相关领域几种热门材料的研究现状 | 第16-30页 |
| 1.2.1 P型ZnO的研究进展 | 第16-23页 |
| 1.2.2 黑色TiO_2在光催化及微波吸收领域的应用 | 第23-27页 |
| 1.2.3 半导体中子探测器简介 | 第27-30页 |
| 1.3 论文主要研究内容 | 第30-33页 |
| 第2章 半导体薄膜与纳米粒子制备技术 | 第33-45页 |
| 2.1 分子束外延技术 | 第33-39页 |
| 2.1.1 分子束外延设备简介 | 第34页 |
| 2.1.2 分子束外延生长薄膜基本物理过程 | 第34-36页 |
| 2.1.3 等离子体辅助的分子束外延设备 | 第36-39页 |
| 2.2 激光烧蚀技术 | 第39-43页 |
| 2.2.1 气相介质中激光烧蚀靶材 | 第40-41页 |
| 2.2.2 液相介质中激光烧蚀靶材 | 第41-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 第3章 第一性原理计算理论基础 | 第45-71页 |
| 3.1 密度泛函理论 | 第45-63页 |
| 3.1.1 Born-oppenheimer近似 | 第46-47页 |
| 3.1.2 Hartree-Fock近似 | 第47-49页 |
| 3.1.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第49-50页 |
| 3.1.4 Kohn-sham方程 | 第50-51页 |
| 3.1.5 交换关联泛函 | 第51-53页 |
| 3.1.6 强关联体系DFT+U | 第53-54页 |
| 3.1.7 多体微扰理论-GW近似 | 第54-62页 |
| 3.1.8 杂化密度泛函 | 第62-63页 |
| 3.2 能带的计算方法 | 第63-70页 |
| 3.2.1 平面波基组 | 第63-66页 |
| 3.2.2 赝势方法 | 第66-67页 |
| 3.2.3 投影缀加波方法 | 第67-70页 |
| 3.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第4章 极化诱导制备氮掺杂P型ZnO | 第71-83页 |
| 4.1 引言 | 第71-74页 |
| 4.2 实验结果 | 第74-81页 |
| 4.2.1 氧锌镁体系极化诱导分析 | 第74-76页 |
| 4.2.2 材料的生长与表征 | 第76-77页 |
| 4.2.3 pn结器件制备与电学特性表征 | 第77-79页 |
| 4.2.4 pn结光伏器件的光响应及发光特性 | 第79-81页 |
| 4.3 本章小结 | 第81-83页 |
| 第5章 黑色二氧化钛微波吸收机理 | 第83-93页 |
| 5.1 引言 | 第83-84页 |
| 5.2 实验结果 | 第84-89页 |
| 5.2.1 脉冲激光烧蚀制备无序TiO_2 | 第84-85页 |
| 5.2.2 脉冲激光烧蚀前后TiO_2纳米粒子结构表征 | 第85-87页 |
| 5.2.3 脉冲激光烧蚀合成无序TiO_2过程分析 | 第87页 |
| 5.2.4 脉冲激光烧蚀前后TiO_2纳米粒子的电磁特性 | 第87-89页 |
| 5.3 理论模拟结果 | 第89-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-93页 |
| 第6章 钆硫属化合物能带结构：中子探测材料预测 | 第93-109页 |
| 6.1 引言 | 第93-94页 |
| 6.2 计算方法与细节 | 第94-95页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第95-107页 |
| 6.3.1 Gd_2X_3的结构特性 | 第95-100页 |
| 6.3.2 Gd_2X_3的能带结构 | 第100-104页 |
| 6.3.3 Gd_2X_3的有效质量 | 第104-107页 |
| 6.4 本章小结 | 第107-109页 |
| 第7章 结论与展望 | 第109-111页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第109页 |
| 7.2 后续工作展望 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-133页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第133-135页 |
| 指导教师及作者简介 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
