二维半导体黑磷和锑烯的电子结构
| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 综述 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 黑磷的研究进展 | 第11-17页 |
| 1.2.1 黑磷的结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 缺陷对黑磷的影响 | 第13页 |
| 1.2.3 吸附原子或分子对黑磷的影响 | 第13-15页 |
| 1.2.4 黑磷界面的研究 | 第15-17页 |
| 1.3 锑烯的研究进展 | 第17-21页 |
| 1.3.1 锑烯的结构 | 第18页 |
| 1.3.2 应力对锑烯的影响 | 第18-19页 |
| 1.3.3 吸附原子或分子对锑烯的影响 | 第19-20页 |
| 1.3.4 锑烯界面的研究 | 第20-21页 |
| 1.4 半金属CrO_2 | 第21-22页 |
| 1.5 铁磁性金属Co | 第22-23页 |
| 1.6 本论文的工作 | 第23-25页 |
| 第二章 计算模拟的理论基础 | 第25-33页 |
| 2.1 绝热近似 | 第25-26页 |
| 2.2 Hartree-Fock近似 | 第26-27页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第27-30页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第28页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第28-30页 |
| 2.4 VASP程序简介及数据处理 | 第30-33页 |
| 2.4.1 VASP计算流程 | 第30-31页 |
| 2.4.2 计算数据处理 | 第31-33页 |
| 第三章 黑磷的电子结构 | 第33-47页 |
| 3.1 黑磷掺杂非磁性原子的电子结构 | 第33-41页 |
| 3.1.1 计算方法和模型 | 第34-35页 |
| 3.1.2 掺杂黑磷的几何结构和电性 | 第35-38页 |
| 3.1.3 掺杂黑磷的磁性 | 第38-39页 |
| 3.1.4 掺杂两个O原子的电子结构 | 第39-41页 |
| 3.2 黑磷/CrO_2界面的电子结构 | 第41-45页 |
| 3.2.1 计算方法和模型 | 第41-42页 |
| 3.2.2 黑磷/CrO_2的几何结构 | 第42-43页 |
| 3.2.3 黑磷/CrO_2的电性和磁性 | 第43-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 锑烯的电子结构 | 第47-71页 |
| 4.1 锑烯掺杂过渡金属原子的电子结构 | 第47-54页 |
| 4.1.1 计算方法和模型 | 第48页 |
| 4.1.2 掺杂锑烯的几何结构和电性 | 第48-52页 |
| 4.1.3 自旋轨道耦合作用的影响 | 第52页 |
| 4.1.4 掺杂锑烯的磁性 | 第52-54页 |
| 4.2 锑烯空位缺陷的电子结构 | 第54-60页 |
| 4.2.1 计算方法和模型 | 第55-56页 |
| 4.2.2 空位锑烯的几何结构和电性 | 第56-58页 |
| 4.2.3 自旋轨道耦合作用的影响 | 第58-60页 |
| 4.3 锑烯/Co界面的电子结构 | 第60-69页 |
| 4.3.1 计算方法和模型 | 第61-62页 |
| 4.3.2 锑烯/Co的几何结构和电性 | 第62-68页 |
| 4.3.3 锑烯/Co的界面势垒 | 第68-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-83页 |
| 攻读硕士学位期间完成的学术论文 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
