| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 低维材料的发展 | 第12-15页 |
| 1.2 III-IV主族层状化合物的研究 | 第15-21页 |
| 1.2.1 第III主族层状半导体的电子结构和性能 | 第15-20页 |
| 1.2.2 层状InSe的合成与制备及其应用 | 第20-21页 |
| 1.3 第IV主族层状金属硫化物的研究 | 第21-24页 |
| 1.3.1 第IV主族层状金属硫化物的电子结构和性能 | 第21-23页 |
| 1.3.2 层状IV族金属单硫化合物的合成与制备及应用 | 第23-24页 |
| 1.4 一维纳米带结构的研究 | 第24-28页 |
| 1.4.1 一维纳米带结构的发展 | 第24-26页 |
| 1.4.2 一维锡烯纳米带 | 第26-28页 |
| 1.5 范德华异质结构 | 第28-32页 |
| 1.5.1 范德华异质结构的发展 | 第28-30页 |
| 1.5.2 范德华异质结构的制备及应用 | 第30-32页 |
| 1.6 本论文的研究内容 | 第32-34页 |
| 第2章 应力调节InSe/MoS_2双层范德华异质结构用于光伏或光催化 | 第34-50页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 计算方法 | 第35-38页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第38-48页 |
| 2.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第3章 双层SnS堆垛顺序对能隙的影响以及在太阳能电池中的潜在应用 | 第50-62页 |
| 3.1 引言 | 第50-51页 |
| 3.2 计算方法 | 第51-53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第4章 密度泛函理论研究F和S原子功能化的扶手椅型锡烯纳米带 | 第62-74页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 计算方法 | 第63-65页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第65-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-96页 |
| 攻读博士期间发表和待发表的论文 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
