| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-21页 |
| 1.1 全固态激光器 | 第15-16页 |
| 1.2 调Q的基本原理及常用的调Q技术 | 第16-19页 |
| 1.2.1 调Q的基本原理 | 第16-17页 |
| 1.2.2 常用的几种主被动调Q技术 | 第17-19页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 分子模拟技术概述 | 第21-30页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 分子模拟技术的基本方法 | 第21-24页 |
| 2.2.1 分子力学方法(Molecular mechanics,MM) | 第22页 |
| 2.2.2 蒙特卡洛方法(Monte Carlo,MC) | 第22页 |
| 2.2.3 量子力学方法(Quantum mechanics,QM) | 第22-23页 |
| 2.2.4 分子动力学方法 | 第23-24页 |
| 2.2.5 介观模拟方法(mesoscale simulation) | 第24页 |
| 2.3 第一性原理计算的基本理论 | 第24-27页 |
| 2.3.1 第一性原理计算 | 第24-25页 |
| 2.3.2 密度泛函理论 | 第25-27页 |
| 2.3.2.1 Thomas-Fermi模型 | 第25页 |
| 2.3.2.2 Hohenberg-Kohn方程 | 第25-26页 |
| 2.3.2.3 Kohn-Sham方程 | 第26-27页 |
| 2.3.2.4 交换关联能的近似方法 | 第27页 |
| 2.4 CASTEP模块基本理论和使用方法介绍 | 第27-30页 |
| 2.4.1 赝势 | 第28页 |
| 2.4.2 超晶胞方法 | 第28-29页 |
| 2.4.3 Castep模块的使用 | 第29-30页 |
| 第三章 含本征点缺陷的GaAs可饱和吸收体光学性质的第一性原理研究 | 第30-45页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 晶体光学性质的理论描述 | 第31-32页 |
| 3.3 计算方法和模型 | 第32-34页 |
| 3.4. 结果和讨论 | 第34-44页 |
| 3.4.1 电子结构 | 第34-37页 |
| 3.4.2 光学性质 | 第37-44页 |
| 3.4.2.1 介电函数 | 第38-40页 |
| 3.4.2.2 吸收光谱 | 第40-42页 |
| 3.4.2.3 复折射率 | 第42-43页 |
| 3.4.2.4 反射率 | 第43-44页 |
| 3.5 总结 | 第44-45页 |
| 第四章 Bi掺杂GaAs晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究 | 第45-57页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第45-48页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第48-55页 |
| 4.3.1 电子结构 | 第48-50页 |
| 4.3.2 光学性质 | 第50-55页 |
| 4.3.2.1 GaAs_(1-x)Bi_x的介电函数 | 第50-52页 |
| 4.3.2.2 GaAs_(1-x)Bi_x的吸收系数 | 第52-53页 |
| 4.3.2.3 GaAs_(1-x)Bi_x的复折射率 | 第53-55页 |
| 4.3.2.4 GaAs_(1-x)Bi_x的电导率 | 第55页 |
| 4.4 总结 | 第55-57页 |
| 第五章 全文总结 | 第57-59页 |
| 5.1 论文完成的工作 | 第57页 |
| 5.2 展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 攻读硕士论文期间发表的学术论文 | 第67-68页 |
| 附件 | 第68页 |
