| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 二维半导体材料磷烯的研究现状 | 第10-16页 |
| 1.3 本文的研究内容和结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 磷烯中的紧束缚模型 | 第17-32页 |
| 2.1 紧束缚模型 | 第17-20页 |
| 2.1.1 紧束缚方法 | 第17-18页 |
| 2.1.2 紧束缚的方程描述 | 第18-20页 |
| 2.2 紧束缚模型在磷烯中的应用 | 第20-30页 |
| 2.2.1 紧束缚模型计算二维磷烯能带 | 第20-22页 |
| 2.2.2 低能k·p模型计算二维磷烯的能带 | 第22-24页 |
| 2.2.3 紧束缚模型计算磷烯纳米带的能带 | 第24-26页 |
| 2.2.4 态密度与局域态密度 | 第26-29页 |
| 2.2.5 光学吸收 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 磷烯在外场下的电子特性和光学吸收 | 第32-53页 |
| 3.1 磷烯在应力作用下的电子特性和光学吸收 | 第32-46页 |
| 3.1.1 均匀应力 | 第32-42页 |
| 3.1.2 非均匀应力 | 第42-46页 |
| 3.2 磷烯在电场作用下的电子特性和光学吸收 | 第46-51页 |
| 3.2.1 平面内电场 | 第46-48页 |
| 3.2.2 垂直平面内的偏置电场 | 第48-49页 |
| 3.2.3 Zigzag纳米带在电场作用下的光学吸收问题 | 第49-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 Hubbard模型以及在磷烯中的应用 | 第53-64页 |
| 4.1 Hubbard模型 | 第53-55页 |
| 4.2 利用Hubbard模型求解Zigzag磷烯纳米带的能带 | 第55-58页 |
| 4.3 电场作用下的能带和光学吸收 | 第58-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-68页 |
| 5.1 总结 | 第64-66页 |
| 5.2 展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读期间发表的学术论文 | 第74页 |