当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
硅片超精密磨削减薄工艺基础研究
自支撑金刚石衬底上GaN、AIN薄膜ECR-PEMOCVD法生长研究
金属/SiC半导体接触的SiC表面等离子体改性研究
氧化锌和银基电子材料的制备及应用研究
Ga2O3薄膜的电子束蒸发制备与掺杂及其性质研究
锌基光催化剂的制备、表征及其性能研究
高硬度氧化物的研磨抛光技术研究
飞秒激光制备单晶硅表面微结构研究
B2H6源掺杂溅射制备透明导电ZnO薄膜的研究
有机场效应晶体管及有机光敏场效应晶体管的制备与研究
SOI高压工艺下器件的特性表征与分析
金属氧化物ZnO和In2O3的掺杂结构及其溅射靶材研究
LED高效荧光粉的制备与性能研究
间歇式源中断方式生长InGaAs量子点的生长工艺研究
利用二维光子晶体提升LED出光能量的研究
基于m-MTDATA空穴缓冲层的有机电致发光器件
纵向沟道有机晶体管制备及光电特性分析
CuPc有机光电三极管的制备与特性分析
有机薄膜三极管感光阵列及其小信号测试
微测辐射热计用V2O5薄膜的制备及性能研究
单线LED驱动芯片级联信号的改善方案
激光晶化制备纳米硅基电致发光材料及掺杂晶化硅薄膜研究
高质量氢化非晶碳化硅膜及纳米硅量子点/非晶碳化硅结构的制备与光电特性
局域表面等离激元增强a-SiNx:O薄膜的发光及激光干涉晶化中光场调制的研究
电沉积法制备硫系化合物薄膜材料及其光电性质的研究
基于超快能量转移机制的半导体纳米棒量子点复合白光转换方案
水溶液法合成稀土掺杂CdSe量子点及光学性质
DMD投影光刻系统的开发设计及其在光刻、液晶光控取向方面的应用
功率MOSFET的UIL筛查能力研究
A1GaInP大功率红光发光二极管的研发
天津三星LED产品外观的光学检测系统的性能改善
半导体外延生长对光刻对准的影响
集成电路工艺中Power MOS失效模式及改善方法研究
集成电路中球形缺陷问题研究和解决方法
新型研磨垫在化学机械研磨制程中的应用
基于稀疏表示的CCD噪声估计及滤除
氧化钒薄膜制备工艺及其相变特性研究
氧化钒薄膜的快速热氧化法制备工艺与相变特性研究
Cu-Zn-Sn-S系纳米晶的溶液化学法合成及其薄膜应用
三甘醇溶液化学法Cu2-xSe纳米晶的合成研究
精密PSD微位移在线测量技术的研究与应用
阵列波导器件耦合封装机理及其关键技术研究
高晶向精度的单晶硅定晶向放电切割进电特性及工艺研究
MOSFET亚阈光电特性研究及其应用系统
可溶性淀粉辅助生长氧化锌及其光催化性能研究
SiGe器件电路模型参数提取
大功率集成封装白光LED的散热及响应面优化设计的研究
激光投影光刻机光学对位技术研究
压电器件的驱动技术研究
计算机控制的反应离子刻蚀系统及刻蚀研究
上一页
[102]
[103]
[104]
[105]
[106]
下一页
