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半导体外延生长对光刻对准的影响

中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
第一章 绪论第6-13页
   ·大规模集成电路制造简介第6-9页
   ·半导体外延生长原理简介第9-11页
   ·半导体光刻对准原理简介第11页
   ·研究光刻对准与外延生长的相关性和重要性第11-12页
   ·课题内容、背景与意义第12-13页
第二章 光刻工艺流程简介及对准原理第13-20页
   ·光刻的工艺流程简介第13-18页
   ·光刻对准的重要性第18-20页
第三章 外延生长的方法和基本原理第20-31页
   ·外延在半导体中的功能第20-21页
   ·外延生长所使用的气体第21-22页
   ·外延生长前的清洗第22-23页
   ·外延生长的原理介绍第23-25页
   ·外延生长的中的掺杂第25-26页
   ·外延生长所使用的机台第26-27页
   ·外延生长中重要的制程参数第27-28页
   ·外延生长中常见的几种缺陷第28-31页
第四章 外延生长和光刻对准的相关性研究第31-41页
   ·外延生长中的图形漂移第31页
   ·图形漂移对光刻对准的影响第31-32页
   ·在外延工艺中利用温度来控制图形漂移的方法第32-41页
第五章 结论与意义第41-42页
参考文献第42-44页
发表论文和科研情况说明第44-45页
致谢第45页

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