半导体外延生长对光刻对准的影响
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| ·大规模集成电路制造简介 | 第6-9页 |
| ·半导体外延生长原理简介 | 第9-11页 |
| ·半导体光刻对准原理简介 | 第11页 |
| ·研究光刻对准与外延生长的相关性和重要性 | 第11-12页 |
| ·课题内容、背景与意义 | 第12-13页 |
| 第二章 光刻工艺流程简介及对准原理 | 第13-20页 |
| ·光刻的工艺流程简介 | 第13-18页 |
| ·光刻对准的重要性 | 第18-20页 |
| 第三章 外延生长的方法和基本原理 | 第20-31页 |
| ·外延在半导体中的功能 | 第20-21页 |
| ·外延生长所使用的气体 | 第21-22页 |
| ·外延生长前的清洗 | 第22-23页 |
| ·外延生长的原理介绍 | 第23-25页 |
| ·外延生长的中的掺杂 | 第25-26页 |
| ·外延生长所使用的机台 | 第26-27页 |
| ·外延生长中重要的制程参数 | 第27-28页 |
| ·外延生长中常见的几种缺陷 | 第28-31页 |
| 第四章 外延生长和光刻对准的相关性研究 | 第31-41页 |
| ·外延生长中的图形漂移 | 第31页 |
| ·图形漂移对光刻对准的影响 | 第31-32页 |
| ·在外延工艺中利用温度来控制图形漂移的方法 | 第32-41页 |
| 第五章 结论与意义 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |