| 致谢 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| §1．1 研究背景 | 第7-8页 |
| §1．2 离子束刻蚀技术的研究现状 | 第8-11页 |
| §1．3 本课题的研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 反应离子刻蚀的理论与技术 | 第13-35页 |
| §2．1 概述 | 第13-17页 |
| §2．2 反应离子束刻蚀技术 | 第17-32页 |
| §2．2．1 离子源设计 | 第18-22页 |
| §2．2．2 三种粒子n_o、n_i、n_e的浓度计算 | 第22-25页 |
| §2．2．3 离子源的电效率及气体利用率 | 第25-30页 |
| §2．2．4 反应离子束刻蚀工艺 | 第30-32页 |
| §2．3 刻蚀速率与刻蚀参数控制 | 第32-35页 |
| 第三章 刻蚀控制的硬件系统 | 第35-58页 |
| §3．1 概述 | 第35-36页 |
| §3．2 反应离子刻蚀机概述 | 第36-37页 |
| §3．3 电路设计 | 第37-58页 |
| §3．3．1 接口电路设计 | 第38-42页 |
| §3．3．2 89c51单片机简介 | 第42-54页 |
| §3．3．3 单片机电路设计 | 第54-58页 |
| 第四章 刻蚀控制的软件系统 | 第58-66页 |
| §4．1 软件概述 | 第58-59页 |
| §4．2 程序设计 | 第59-66页 |
| §4．2．1 下位机软件设计 | 第59-63页 |
| §4．2．2 上位机软件设计 | 第63-66页 |
| 第五章 论文总结 | 第66-69页 |
| §5．1 结论 | 第66-68页 |
| §5．2 前景与展望 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72页 |