| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| ·半导体材料的应用 | 第13页 |
| ·半导体机械切割技术 | 第13-16页 |
| ·外圆切割 | 第13-14页 |
| ·内圆切割 | 第14-15页 |
| ·线锯切割 | 第15-16页 |
| ·半导体放电切割技术 | 第16-17页 |
| ·半导体定晶向切割技术 | 第17-21页 |
| ·晶体的定向方法 | 第17-19页 |
| ·半导体定晶向切割技术发展现状 | 第19-21页 |
| ·研究目的、意义及主要内容 | 第21-23页 |
| ·研究目的和意义 | 第21页 |
| ·研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 单晶硅定晶向放电切割试验系统 | 第23-37页 |
| ·单晶硅定晶向放电切割试验设备 | 第23-27页 |
| ·电火花线切割机床 | 第23-24页 |
| ·X 射线晶体定向仪 | 第24-25页 |
| ·其他设备 | 第25-27页 |
| ·单晶硅定晶向放电切割工艺方案设计 | 第27-30页 |
| ·基于三维回转工作台的定晶向放电切割方案 | 第28页 |
| ·基于摇摆锥度电火花线切割机床的定晶向放电切割方案 | 第28-29页 |
| ·单晶硅定晶向放电切割方案的比较 | 第29-30页 |
| ·单晶硅定晶向放电切割工艺流程 | 第30-36页 |
| ·装夹前准备 | 第30-31页 |
| ·装夹 | 第31-32页 |
| ·试切 | 第32页 |
| ·晶向误差检测及计算 | 第32-34页 |
| ·进给路线及切割锥度调整 | 第34-35页 |
| ·重复试切 | 第35页 |
| ·正式切割 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 基于进电端放电法的半导体放电加工特性 | 第37-52页 |
| ·半导体放电加工中的接触电阻 | 第37-41页 |
| ·金属与半导体的接触势垒 | 第37-38页 |
| ·欧姆接触 | 第38页 |
| ·半导体放电加工电路模型 | 第38-39页 |
| ·进电端放电法减小接触电阻 | 第39-41页 |
| ·不同进电方式下接触电阻的伏安特性 | 第41-45页 |
| ·样件的进电端放电处理 | 第41-42页 |
| ·不同进电方式下的伏安曲线测量 | 第42-44页 |
| ·测量结果分析 | 第44-45页 |
| ·放电面积对伏安曲线的影响 | 第45-47页 |
| ·测量方法 | 第45-46页 |
| ·测量结果分析 | 第46-47页 |
| ·不同进电方式的比较 | 第47-51页 |
| ·不同进电方式对切割速度的影响 | 第47-48页 |
| ·不同进电方式对表面质量的影响 | 第48-49页 |
| ·不同进电方式对切缝宽度的影响 | 第49-50页 |
| ·进电端放电法的特点 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 高精度定晶向切割工艺试验 | 第52-66页 |
| ·晶向精度的影响因素 | 第52-54页 |
| ·WEDM 表面形状缺陷对晶向精度的影响 | 第54-60页 |
| ·理想的表面形状 | 第54-55页 |
| ·外凸腰鼓形对晶向测量的影响 | 第55-56页 |
| ·内凹腰鼓形对晶向测量的影响 | 第56-57页 |
| ·波纹形对晶向测量的影响 | 第57-58页 |
| ·实际测量分析 | 第58-60页 |
| ·晶向精度工艺试验研究 | 第60-64页 |
| ·电极丝张力对试切次数、表面形状缺陷和晶向精度的影响 | 第61-62页 |
| ·运丝速度对试切次数、表面形状缺陷和晶向精度的影响 | 第62-64页 |
| ·(311)晶面的定晶向切割 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·本文完成的主要工作 | 第66页 |
| ·后续研究工作展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第72页 |
