SiGe器件电路模型参数提取

摘要	第1-5页
ABSTRACT	第5-8页
第一章 绪论	第8-15页
·课题来源及研究意义	第8页
·模型参数提取的意义及动态	第8-11页
·SiGe技术国内外发展动态	第11-14页
·论文内容安排	第14-15页
第二章 SiGe器件原理及SPICE模型	第15-30页
·SiGe HBT器件基本原理	第15-17页
·SiGe HBT器件SPICE模型	第17-23页
·应变Si MOSFET基本原理	第23-24页
·应变Si MOSFET器件SPICE模型	第24-30页
第三章 SiGe HBT器件设计及参数提取	第30-54页
·参数提取的基本原理	第30-32页
·AURORA软件简介	第32页
·器件的设计	第32-37页
·发射区设计	第33页
·基区设计	第33-34页
·集电区设计	第34-36页
·模拟结果及分析	第36-37页
·器件的制备	第37-38页
·器件的测试	第38-40页
·改进的VBIC模型及其参数提取	第40-48页
·VBIC模型的改进	第40-42页
·电流参数提取	第42-45页
·电阻参数提取	第45-47页
·电容参数的提取	第47-48页
·渡越时间参数的提取	第48页
·参数提取结果及分析	第48-54页
·参数提取结果	第48-52页
·结果分析	第52-54页
第四章 应变Si PMOSFET电路模型参数提取	第54-62页
·器件的设计制备及测试	第54-58页
·器件设计	第54-56页
·器件制备	第56-57页
·器件测试	第57-58页
·器件模型的选取	第58-59页
·提参策略的制定	第59-60页
·参数提取结果及分析	第60-62页
第五章 结论	第62-63页
致谢	第63-64页
参考文献	第64-66页
攻读硕士学位期间的研究成果	第66页