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B2H6源掺杂溅射制备透明导电ZnO薄膜的研究

中文摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 引言第12-21页
 第一节 课题来源第12页
 第二节 研究背景及研究意义第12-14页
 第三节 研究现状第14-19页
 第四节 论文的目标第19页
 第五节 组织结构第19-21页
第二章 ZnO和B_2H_6的特性及相关基础第21-30页
 第一节 引言第21页
 第二节 ZnO的基本特性第21-22页
 第三节 掺杂ZnO薄膜第22页
 第四节 B_2H_6的基本特性第22-23页
 第五节 实验方法及BZO薄膜的制备第23-27页
     ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)第23-24页
     ·溅射沉积第24-25页
     ·气源掺杂溅射制备BZO薄膜的优势及制备方案第25-26页
     ·实验设备第26页
     ·BZO薄膜的制备第26-27页
 第六节 BZO薄膜性能的表征第27-29页
     ·薄膜光学特性的表征第27-28页
     ·薄膜结构特性的表征-X射线衍射(XRD)分析第28页
     ·薄膜元素构成的表征-X射线光电子能谱分析(XPS)第28-29页
 第七节 本章小结第29-30页
第三章 BZO薄膜制备中的B_2H_6掺杂机制研究第30-40页
 第一节 引言第30页
 第二节 B_2H_6浓度对有效掺杂机制的影响第30-33页
     ·B_2H_6浓度对薄膜电学特性的影响第31-32页
     ·B_2H_6度对薄膜光学特性的影响第32-33页
 第三节 溅射气体(AR)对掺杂作用的影响机制第33-36页
     ·Ar流量对薄膜电学特性的影响第34-35页
     ·Ar流量对薄膜光学特性的影响第35-36页
 第四节 B_2H_6掺杂机制的详细研究第36-39页
     ·高Ar流量下B_2H_6浓度对薄膜电学特性的影响第36-37页
     ·高Ar流量下B_2H_6浓度对薄膜光学特性的影响第37-39页
 第五节 小结第39-40页
第四章 B_2H_6源掺杂中的热作用机制研究第40-58页
 第一节 引言第40页
 第二节 衬底温度对BZO薄膜性能的影响第40-45页
     ·衬底温度对薄膜结晶特性的影响第40-42页
     ·衬底温度对薄膜电学特性的影响第42-44页
     ·衬底温度对薄膜光学特性的影响第44-45页
 第三节 退火处理对薄膜性能改善的研究第45-52页
     ·退火温度对BZO薄膜的影响机制研究第45-49页
     ·退火时间对薄膜特性的影响第49-52页
     ·小结第52页
 第四节 动态沉积温度制备薄膜第52-57页
     ·动态沉积温度制备薄膜第52-53页
     ·动态沉积温度制备薄膜的结晶特性的变化第53页
     ·动态沉积温度制备薄膜的电学特性的变化第53-54页
     ·退火对动态沉积温度制备样品的影响第54-57页
     ·小结第57页
 第五节 本章小结第57-58页
第五章 BZO的陷光特性研究及其在微晶硅太阳电池中的应用第58-77页
 第一节 引言第58页
 第二节 ZnO薄膜陷光形貌的制备第58页
 第三节 覆铝退火技术实现对BZO前电极表面形貌的有效调控第58-72页
     ·覆铝退火样品的制备第59页
     ·高温下覆铝退火的可行性第59-60页
     ·退火温度在覆铝退火中的作用第60-64页
     ·覆铝退火对薄膜陷光性能的优化第64-65页
     ·湿法腐蚀对覆铝退火薄膜样品陷光形貌的影响第65-68页
     ·覆铝退火工艺对腐蚀后形貌及陷光的作用第68-72页
     ·小结第72页
 第四节 制备的BZO薄膜在硅薄膜太阳电池中的应用第72-75页
     ·覆铝退火与常规退火处理的BZO薄膜对硅薄膜太阳电池的影响第72-73页
     ·覆铝退火处理的BZO薄膜与AZO薄膜对硅薄膜太阳电池的影响第73-75页
 第五节 本章小结第75-77页
第六章 总结和展望第77-79页
参考文献第79-84页
致谢第84-85页
个人简历第85页
在学期间发表的学术论文第85页
在学期间申请的专利第85页

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