中文摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 引言 | 第12-21页 |
第一节 课题来源 | 第12页 |
第二节 研究背景及研究意义 | 第12-14页 |
第三节 研究现状 | 第14-19页 |
第四节 论文的目标 | 第19页 |
第五节 组织结构 | 第19-21页 |
第二章 ZnO和B_2H_6的特性及相关基础 | 第21-30页 |
第一节 引言 | 第21页 |
第二节 ZnO的基本特性 | 第21-22页 |
第三节 掺杂ZnO薄膜 | 第22页 |
第四节 B_2H_6的基本特性 | 第22-23页 |
第五节 实验方法及BZO薄膜的制备 | 第23-27页 |
·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第23-24页 |
·溅射沉积 | 第24-25页 |
·气源掺杂溅射制备BZO薄膜的优势及制备方案 | 第25-26页 |
·实验设备 | 第26页 |
·BZO薄膜的制备 | 第26-27页 |
第六节 BZO薄膜性能的表征 | 第27-29页 |
·薄膜光学特性的表征 | 第27-28页 |
·薄膜结构特性的表征-X射线衍射(XRD)分析 | 第28页 |
·薄膜元素构成的表征-X射线光电子能谱分析(XPS) | 第28-29页 |
第七节 本章小结 | 第29-30页 |
第三章 BZO薄膜制备中的B_2H_6掺杂机制研究 | 第30-40页 |
第一节 引言 | 第30页 |
第二节 B_2H_6浓度对有效掺杂机制的影响 | 第30-33页 |
·B_2H_6浓度对薄膜电学特性的影响 | 第31-32页 |
·B_2H_6度对薄膜光学特性的影响 | 第32-33页 |
第三节 溅射气体(AR)对掺杂作用的影响机制 | 第33-36页 |
·Ar流量对薄膜电学特性的影响 | 第34-35页 |
·Ar流量对薄膜光学特性的影响 | 第35-36页 |
第四节 B_2H_6掺杂机制的详细研究 | 第36-39页 |
·高Ar流量下B_2H_6浓度对薄膜电学特性的影响 | 第36-37页 |
·高Ar流量下B_2H_6浓度对薄膜光学特性的影响 | 第37-39页 |
第五节 小结 | 第39-40页 |
第四章 B_2H_6源掺杂中的热作用机制研究 | 第40-58页 |
第一节 引言 | 第40页 |
第二节 衬底温度对BZO薄膜性能的影响 | 第40-45页 |
·衬底温度对薄膜结晶特性的影响 | 第40-42页 |
·衬底温度对薄膜电学特性的影响 | 第42-44页 |
·衬底温度对薄膜光学特性的影响 | 第44-45页 |
第三节 退火处理对薄膜性能改善的研究 | 第45-52页 |
·退火温度对BZO薄膜的影响机制研究 | 第45-49页 |
·退火时间对薄膜特性的影响 | 第49-52页 |
·小结 | 第52页 |
第四节 动态沉积温度制备薄膜 | 第52-57页 |
·动态沉积温度制备薄膜 | 第52-53页 |
·动态沉积温度制备薄膜的结晶特性的变化 | 第53页 |
·动态沉积温度制备薄膜的电学特性的变化 | 第53-54页 |
·退火对动态沉积温度制备样品的影响 | 第54-57页 |
·小结 | 第57页 |
第五节 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 BZO的陷光特性研究及其在微晶硅太阳电池中的应用 | 第58-77页 |
第一节 引言 | 第58页 |
第二节 ZnO薄膜陷光形貌的制备 | 第58页 |
第三节 覆铝退火技术实现对BZO前电极表面形貌的有效调控 | 第58-72页 |
·覆铝退火样品的制备 | 第59页 |
·高温下覆铝退火的可行性 | 第59-60页 |
·退火温度在覆铝退火中的作用 | 第60-64页 |
·覆铝退火对薄膜陷光性能的优化 | 第64-65页 |
·湿法腐蚀对覆铝退火薄膜样品陷光形貌的影响 | 第65-68页 |
·覆铝退火工艺对腐蚀后形貌及陷光的作用 | 第68-72页 |
·小结 | 第72页 |
第四节 制备的BZO薄膜在硅薄膜太阳电池中的应用 | 第72-75页 |
·覆铝退火与常规退火处理的BZO薄膜对硅薄膜太阳电池的影响 | 第72-73页 |
·覆铝退火处理的BZO薄膜与AZO薄膜对硅薄膜太阳电池的影响 | 第73-75页 |
第五节 本章小结 | 第75-77页 |
第六章 总结和展望 | 第77-79页 |
参考文献 | 第79-84页 |
致谢 | 第84-85页 |
个人简历 | 第85页 |
在学期间发表的学术论文 | 第85页 |
在学期间申请的专利 | 第85页 |