A1GaInP大功率红光发光二极管的研发

摘要	第1-5页
Abstract	第5-7页
1 绪论	第7-17页
·课题研究的背景及意义	第7-11页
·AlGaInP发光二极管的国内外发展现状与趋势	第11-17页
2 红光高亮大功率发光二极管基本工艺技术的设计	第17-30页
·红光高亮大功率发光二极管的基本结构设计	第17-19页
·外延材料的生长	第19-26页
·外延片制造技术基本原理	第19-20页
·AlGaInP外延材料能带结构	第20-21页
·关键技术及创新点	第21-22页
·主要技术路线	第22-26页
·红光高亮大功率发光二极管器件的制备工艺流程	第26-28页
·本章小结	第28-30页
3 红光高亮大功率发光二极管关键工艺技术的改进	第30-50页
·ODR全方位反射镜的设计	第30-33页
·欧姆接触层的研究	第33-35页
·P型欧姆接触	第33-35页
·N型欧姆接触	第35页
·P/N面电极的设计	第35-41页
·P面触点设计	第36-40页
·N电极的设计	第40-41页
·PAD结构优化	第41页
·高透过率导电层ITO的研究	第41-45页
·表面粗化技术	第45-47页
·本章小结	第47-50页
结论	第50-51页
参考文献	第51-53页
致谢	第53-54页