A1GaInP大功率红光发光二极管的研发
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
1 绪论 | 第7-17页 |
·课题研究的背景及意义 | 第7-11页 |
·AlGaInP发光二极管的国内外发展现状与趋势 | 第11-17页 |
2 红光高亮大功率发光二极管基本工艺技术的设计 | 第17-30页 |
·红光高亮大功率发光二极管的基本结构设计 | 第17-19页 |
·外延材料的生长 | 第19-26页 |
·外延片制造技术基本原理 | 第19-20页 |
·AlGaInP外延材料能带结构 | 第20-21页 |
·关键技术及创新点 | 第21-22页 |
·主要技术路线 | 第22-26页 |
·红光高亮大功率发光二极管器件的制备工艺流程 | 第26-28页 |
·本章小结 | 第28-30页 |
3 红光高亮大功率发光二极管关键工艺技术的改进 | 第30-50页 |
·ODR全方位反射镜的设计 | 第30-33页 |
·欧姆接触层的研究 | 第33-35页 |
·P型欧姆接触 | 第33-35页 |
·N型欧姆接触 | 第35页 |
·P/N面电极的设计 | 第35-41页 |
·P面触点设计 | 第36-40页 |
·N电极的设计 | 第40-41页 |
·PAD结构优化 | 第41页 |
·高透过率导电层ITO的研究 | 第41-45页 |
·表面粗化技术 | 第45-47页 |
·本章小结 | 第47-50页 |
结论 | 第50-51页 |
参考文献 | 第51-53页 |
致谢 | 第53-54页 |