当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
基于亚波长光栅的纳米压印模板工艺及光学仿真研究
功率集成与0.35微米BCD工艺研究
锗硅外延工艺的调试和优化
65nm金属沟槽刻蚀工艺研发
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进
功率器件的封装失效分析以及静电放电研究
散射测量技术在纳米级晶圆复杂轮廓上的优势测量
深亚微米MOS场效应管器件模型Bsim4.5的Verilog-A语言实现
对晶圆钴淀积预处理中光阻吸附问题的研究
功率沟槽MOSFET的开关速度和栅漏电容Cgd的优化设计和研究
通过使用阶梯状掺杂的埋层对超浅结进行双边C-V剖面分析
65nm高性能工艺流程之低温选择性锗硅外延技术的研究
沟槽MOSFET中掺杂工艺的应用和优化
TiO2基氧化物半导体磁性的实验研究
共振隧穿器件的研制及模拟研究
失效分析在半导体制造中的原理及应用
对光刻工艺中在光阻底部增加抗反射涂层(BARC)的研究
多晶硅刻蚀特性的研究
光刻工艺中对线宽和套刻系统性控制的开发
0.35微米BiCMOS光刻工艺参数的优化
LEC砷化镓单晶生长技术
真空高阻区熔硅单晶生长技术的研究
锗抛光片抛光清洗技术研究
碳化硅单晶微管道缺陷研究
VB-GaAs单晶片抛光技术研究
HVPE法制备GaN同质衬底
宽禁带SiC材料中杂质的分析研究
LED用砷化镓抛光片表面状态研究
SiC中V含量的二次离子质谱分析研究
PVT法生长SiC单晶中V掺杂行为研究
自动化快速测试方案的研究和应用
热敏电阻局部化学镀铜制备良好欧姆接触电极及性能研究
掺杂SnO2的电子结构、光学与磁学性质的第一性原理计算
Co,Cu掺杂ZnO稀磁半导体粉末的结构及磁性研究
基于电荷泵型的白光LED驱动芯片设计
一种基于BOOST DC-DC的高压LED驱动电路的研究与设计
提升白光LED发光效率的研究
深紫外光照射延缓光罩结晶生长的研究
聚合物电致发光器件的稳定性和老化机理研究
用于二次电子发射阴极材料的金刚石薄膜的制备及性能研究
波样耗散结构的空间构造及形成过程
掺氮SiC薄膜制备及其光学特性的研究
有机电致发光器件性能的研究
磁控溅射法制备氮掺杂ZnO薄膜及其光学特性研究
与Si相容的自旋电子学材料的研究:磁性半导体
掺杂金红石相TiO2的第一性原理计算
基于LCOS投影显示的LED照明设计与应用
抗热载流子效应的工艺及器件结构研究
大功率发光二极管导热界面功能复合材料的研究
0.11μm DRAM技术中深沟壑底部光阻残余物去除工艺的改善研究
上一页
[177]
[178]
[179]
[180]
[181]
下一页