首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--半导体器件制造工艺及设备论文--光刻、掩膜论文

0.35微米BiCMOS光刻工艺参数的优化

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
第一章 引言第6-14页
   ·光刻基本原理第6-8页
   ·光刻技术的发展第8-12页
   ·本文研究的主要内容和方向第12-14页
第二章 光刻工艺流程及特点第14-29页
   ·光刻胶介绍第14-23页
   ·光刻工艺流程第23-29页
第三章 光刻工艺中的Lens heating 问题第29-36页
   ·投影式光刻介绍第29-32页
   ·Lens heating 产生的原因及影响第32-33页
   ·减小Lens heating 的方法第33-36页
第四章 光刻胶粉尘污染引起的球状缺陷问题第36-39页
   ·光刻工艺中的球状缺陷产生因素的猜想第36-37页
   ·球状缺陷产生因素的验证方法第37-38页
   ·球状缺陷的解决方法第38-39页
第五章 利用表面抗反射剂去除光刻工艺过程中的显影缺陷第39-47页
   ·显影缺陷的分类与成因第39页
   ·光刻胶表面残留缺陷影响因素及其验证方法第39-45页
   ·残留缺陷的解决方法第45-47页
第六章 结论第47-48页
参考文献第48-49页
致谢第49页

论文共49页,点击 下载论文
上一篇:LEC砷化镓单晶生长技术
下一篇:材料分析技术在集成电路工艺中的应用