| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-21页 |
| ·湿法清洗工艺(WET Clean) | 第7-9页 |
| ·湿法蚀刻工艺(WET ETCHING) | 第9-15页 |
| ·湿法蚀刻原理 | 第9-11页 |
| ·蚀刻速率 | 第11-12页 |
| ·选择性 | 第12页 |
| ·侧蚀比 | 第12-14页 |
| ·蚀刻均匀性 | 第14页 |
| ·表面清洗和刻蚀残留物 | 第14-15页 |
| ·硅的化学蚀刻和加工工艺背景 | 第15-20页 |
| ·硅化钻工艺背景 | 第20-21页 |
| ·三极管上Salicide形成过程 | 第20-21页 |
| ·CoSi的特性、缺陷 | 第21页 |
| 第二章 光阻吸附缺陷的结构特点及组分表征 | 第21-28页 |
| ·PR Re-dep defect的结构特点 | 第22-27页 |
| ·在光学显微镜下检测PR re-dep defect | 第22-23页 |
| ·PR Re-dep defect在扫描电子显微镜下的结构特点 | 第23-26页 |
| ·PR re-dep defect在穿透电子显微镜下的厚度测量 | 第26-27页 |
| ·PR re-dep defect的组分表征 | 第27-28页 |
| 第三章 PR Re-dep defect的试验重现方案 | 第28-32页 |
| ·试验仪器介绍 | 第28-30页 |
| ·试验方案介绍 | 第30-32页 |
| ·方案一:不同类型控片实验 | 第31页 |
| ·方案二:不同加工晶圆数量实验 | 第31-32页 |
| 第四章 PR Re-dep defect形成机理的讨论 | 第32-39页 |
| ·实验复制的PR re-dep defect的特点 | 第32-35页 |
| ·PR re-dep defect形成原因的分析 | 第35-36页 |
| ·PR re-dep defect与离子注入的关系 | 第35-36页 |
| ·不同跑货数量实验 | 第36页 |
| ·小结 | 第36页 |
| ·PR re-dep defect的形成机理 | 第36-39页 |
| 第五章 PR Re-dep defect去除方法 | 第39-41页 |
| ·去除方法有效性验证 | 第39页 |
| ·去除方法安全性验证 | 第39-41页 |
| 第六章 总结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 致谢 | 第43-44页 |
